首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
检索     
共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 145 毫秒

1.  长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制  
   齐利芳  李献杰  赵永林  尹顺政  蔡道民  李宁  甄红楼  熊大元  陆卫《微纳电子技术》,2009年第46卷第7期
   介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。    

2.  InGaAs/GaAs量子点红外探测器  被引次数:2
   马文全  杨晓杰  种明  苏艳梅  杨涛  陈良惠  邵军  吕翔《红外与激光工程》,2008年第37卷第1期
   与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。 在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。    

3.  量子点红外探测器及焦平面阵列的研究进展  
   邓功荣  史衍丽  余连杰  何雯瑾《红外技术》,2011年第33卷第2期
   量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势.目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外探测器、二维小孔阵列红外探测器(2DHA-QDIP),国外报道了640×512量子点红外焦平面阵列的热成像,但现有的QDIP还未充分显现出其潜在优势.阐述了正在研究的几种QDIP和未来技术发展的趋势.    

4.  量子阱红外探测器光耦合模式的发展状况  
   连洁  王青圃  程兴奎《半导体光电》,2002年第23卷第3期
   根据子带跃迁的量子力学选择定则 ,量子阱红外探测器对垂直于阱层的辐射无响应 ,只有利用光耦合模式 ,把正入射的光束转变成量子阱可吸收的形式 ,红外探测器的量子效率才能提高。文中介绍了几种主要光耦合模式及其发展现状 ,指出各耦合模式的设计思想和适用范围 ,并进行了比较    

5.  带耦合光栅的量子阱红外探测器研制  
   谢东珠  郭献东  刘天东  周传鸿  沈潜  李宁珍  余晓中  魏永乐  李洪发《红外技术》,2002年第24卷第6期
   报导了带二维衍射光栅的 12 8元线列GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面探测器的研究成果。探测器光吸收峰值波长λP=8.9μm ,采用垂直入射光耦合的工作模式 ,在 80K工作温度下其平均黑体电压响应率为 2 .75× 10 4 V/W ,平均黑体探测率为 2 .5 2× 10 9cmHz1/ 2 /W ;电压响应率和探测率的非均匀性分别 5 .2 %和 8.3%。 12 8元线列探测器与 6 4元CMOS读出电路对接后与光学系统、扫描系统、数据采集系统和图像显示系统等组成红外成像演示系统 ,实验室获得了清晰的人体手部热像和余热图像    

6.  GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器光谱特性的研究  
   孙莹  杨瑞霞  武一宾  吕晶  王风《半导体技术》,2010年第35卷第3期
   采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器件特性的实验测试及理论分析,研究了量子阱红外探测器的响应光谱特性,并通过薛定谔方程和泊松方程的求解,对掺杂对量子阱能级的影响做了研究。结果表明,由于应力导致的能带非抛物线性使得阱中能级发生了变化,从而引起吸收峰向高能方向发生了漂移,而阱中进行适度的掺杂没有对量子阱能级造成影响,光致发光谱实验结果与之吻合较好。在光电流谱的实验分析基础之上,分析了量子阱阱宽、Al组分与峰值探测波长λ的关系,为量子阱红外探测器的设计优化提供了参考。    

7.  长波双色AlxGa1-xAs/GaAs量子阱红外探测器的研制  被引次数:1
   齐利芳  李献杰  赵永林  尹顺政  蔡道民  李宁  甄红楼  熊大元  陆卫《半导体情报》,2009年第46卷第7期
   介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10^-6、4.19×10^-6A;黑体探测率分别为1.5×10^9、6.7×10^9cm.Hz^1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。    

8.  (英)基于石墨烯/铟砷量子点/砷化镓异质结新型光电探测器  
   胡之厅  甘 桃  杜磊  张家振  徐煌  韩赛垒  徐鹤靓  刘锋  陈永平  陈刚《红外与毫米波学报》,2019年第38卷第3期
   研究了一种石墨烯/铟砷量子点/砷化镓界面形成的异质结探测器的暗电流特性以及光电响应性质.虽然石墨烯具有很高的电子迁移率,但受限于较低的光子吸收率,使其在光电探测领域的应用受到了限制.而半导体量子点具有量子效率高,光吸收能力强等独特优点.于是利用石墨烯-砷化铟量子点-砷化镓异质结结构制备了一种新型光电探测器.并对该探测器的响应率、I-V特性曲线、暗电流特性、探测率、开关比等关键性能进行了研究.其在637 nm入射光情况下的响应率、探测率以及开关比可分别达到为17. 0 m A/W、2. 3×10~(10)cm Hz~(1/2)W~(-1)和1×10~3.而当入射光为近红外波段的940纳米时,响应率进一步增加到了207 m A/W.同时,还证实了该器件的暗电流、肖特基势垒高度和理想因子对温度的都具有较高的依赖性都较强.    

9.  甚长波量子阱红外探测器中的双激发态工作机理  
   刘希辉  周孝好  王禄  孙庆灵  廖开升  黄亮  李宁  李志锋《红外与毫米波学报》,2015年第34卷第1期
   通过对甚长波量子阱红外探测器的变温变偏压光谱实验,发现了光电流谱峰值响应波长与半高宽随偏置电压和温度变化均会发生变化,尤其以小偏压下峰值移动明显.结合器件能带结构计算的结果,提出了甚长波量子阱红外探测器中双激发态工作模型,并阐明了其中束缚态-准束缚态跃迁模式中准束缚态的物理特性,包括隧穿特性和热离化特性,以及不同工作条件下这两种物理过程在形成光电流时的主导性.同时,验证了甚长波量子阱红外探测器件的第一激发态随外界工作条件的变化会呈现出准束缚到准连续的变化特性.最后,揭示了在甚长波量子阱红外探测器工作中束缚态-准束缚态跃迁工作模式对于降低器件暗电流、提升器件工作温度、提高器件探测率的有效性.    

10.  MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*  
   李娜  李宁  陆卫  窦红飞  陈张海  刘兴权  沈学础  H.H.Tan  Lan Fu  C.Jagadish  M.B.Johnston  M.Gal《半导体学报》,2000年第21卷第5期
   用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求.    

11.  MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较  被引次数:2
   李娜  李宁  陆卫  窦红飞  陈张海  刘兴权  沈学础  H H Tan  LanFu  C Jagadish  M B Johnston  M Gal《半导体学报》,2000年第21卷第5期
   用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求.    

12.  新型GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器  
   史衍丽  邓军  杜金玉  沈光地  尹洁《红外与毫米波学报》,2000年第19卷第4期
   提出一种新型GaAs/GaAlAs子带间光吸收的红外光电导探测机理,利用MOCVD系统进行器件材料的生长,研制了200μm×200μm的台面形式单管,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象,对器件的性能测试结果表明,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加,器件噪声比常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器低一个数量级.    

13.  多量子阱红外探测材料的光致荧光谱  
   马楠  邓军  史衍丽  沈光地《功能材料与器件学报》,2009年第15卷第2期
   在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求.本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长.以光致荧光光谱对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长.计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作.同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3.    

14.  GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器  
   张耀辉  江德生  夏建白  刘伟  崔丽秋  杨小平  宋春英  郑厚植  周增圻  林耀望《半导体学报》,1996年第17卷第2期
   本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm    

15.  快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰  
   李宁  刘兴权  李娜  陈效双  陆卫  徐文兰  袁先璋  沈学础  黄绮  周均铭《半导体学报》,2000年第21卷第3期
   应用快速热退火的方法将GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到8~14μm大气窗口内.通过测量单元器件的光电流谱、响应率和I-V特性,分析了快速热退火对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器性能的影响.    

16.  GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器  
   李晋闽  郑海群  曾一平  孔梅影《半导体学报》,1995年第16卷第1期
   本文报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展.通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9e10cm·Hz(1/2)/W,电压响应率为1.3e4V/W.各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18%,串音小于0.45%,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2e-)A/cm2.    

17.  垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器  被引次数:2
   李成  杨沁清  王红杰  罗丽萍  成步文  余金中  王启明《半导体学报》,2000年第21卷第5期
   报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.    

18.  垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器  
   李成  杨沁清  主红杰  罗丽萍  成步文  余金中  王启明《半导体学报》,2000年第21卷第5期
   报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.    

19.  用Ⅲ-Ⅴ族氮化物制成的红外探测器  
   《红外》,2007年第28卷第4期
   本发明提供一种量子阱红外光电探测器,它包括一层衬底、一层缓冲层、第一层导电层、一个多量子阱、一层任选阻挡层和第二层导电层。其中,衬底是用一种单晶体制作的,在器件制备完毕后可以去除掉。其余的膜层则是由Ⅲ-Ⅴ族氮化物构成的。这种量子阱红外光电探测器的优点是,能够敏感正入射和斜入射的近红外至甚远红外波长的光。    

20.  量子点红外光电探测器  
   《光学仪器》,2005年第27卷第1期
   美国南加利福尼亚大学和得克萨斯大学的研究人员联合研制出一种用于8μm~12μm大气窗口的量子点光电探测器。经过致冷的量子点探测器的性能可与目前的量子阱红外光电探测器匹敌,但比HgCdTe本征探测器约低一个数量级,其适合的应用包括夜视、目标跟踪和环境监测。量子点探测器对入射的辑射特别敏感(其中包括对垂直入射的辐射),量子点中的长寿命载流子使得这种探测器具有更高的响应率、    

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号