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共有20条相似文献,以下是第1-20项 搜索用时 421 毫秒

1.  TiO2压敏电阻的研究与应用  
   袁明军  崔文权  李苹  冯良荣《材料科学与工艺》,2008年第16卷第6期
   为了更好地研制和应用压敏电阻元件,介绍了TiO2压敏电阻的基本性质,压敏机理以及研究现状,阐述了制备过程中掺杂物种、掺杂浓度、烧结温度、粉体材料等因素对二氧化钛压敏电阻性能的影响.研究表明,TiO2系列压敏电阻具有较低的压敏电压、较高的非线性系数、超高的介电常数,并且制备工艺简单.TiO2系列压敏电阻能有效弥补SrTiO3和ZnO系压敏电阻器所存在的不足之处,是低压压敏陶瓷的研发方向.    

2.  CeO2掺杂TiO2基压敏陶瓷的性能研究  
   樊少忠  钟黎声  陈哲  李亚平《压电与声光》,2015年第37卷第2期
   该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗。    

3.  工艺和添加剂对TiO2功能陶瓷材料性能的影响  被引次数:4
   张卫 武明堂《材料科学与工艺》,1994年第2卷第2期
   研究了工艺和添加剂对TiO2功能陶瓷材料性能的影响。发现提高烧结温度和延长保温时间有利于降低材料的压敏电压和使介电常数升高。当烧结温度在125℃至1300℃之间时,可使材料具有较大的非线系数。添加剂中Bi2O3的含量增加,也会降低材料的压敏电压。适量的MnO2含量则有利于提高其非线性系数。    

4.  烧结温度对TiO2压敏陶瓷结构和性能的影响  
   严继康  甘国友  陈海芳  张小文  孙加林《压电与声光》,2008年第30卷第3期
   研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。实验结果表明:烧结温度必须高于致密化的初始温度,但烧结温度过高会形成大量氧空位而在晶粒中形成气孔,影响显微结构的均匀性和致密性,较适合的烧结温度为1 350℃。随烧结温度的增加,TiO2压敏陶瓷的晶粒尺寸长大,Nb5 的固溶度增加,势垒高度与势垒宽度增加,压敏电压降低,而非线性系数和介电常数增加。    

5.  Y系掺杂的TiO2压敏陶瓷性能研究  被引次数:4
   季惠明  孙清池  王丹阳《硅酸盐通报》,2002年第21卷第5期
   通过在TiO2压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明:以Y系掺杂的Ti-Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性。其中,以Y+Cu为受主掺杂剂,SiO2为烧结助剂的配方,在1300℃温度下烧结,获得压敏电压V1mA=9.4A/mm,非线性系数α=4.8,介电常数ε=21300,介电损耗tanδ=0.09较优异的压敏介电性能。同时Y系掺杂也避免了掺杂Bi的高温挥发性。    

6.  Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容-压敏双功能陶瓷的影响  
   胡连峰  唐超群  周文斌  薛霞  黄金球  马新国《材料科学与工程学报》,2006年第24卷第6期
   研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响.实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×104.烧结温度在1450℃时,压敏电压最低,Eb=1.979 V·mm-1.    

7.  烧结温度对TiO2压敏陶瓷非线性和介电性质的影响  
   孟凡明  孙兆奇《功能材料》,2006年第37卷第7期
   基于一次烧结工艺,通过改变烧结温度,制备5种组分相同、(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷试样.借助于伏安特性、介电频率特性、损耗频率特性及非线性系数的测定,研究烧结温度对TiO2基压敏陶瓷压敏和介电性质的影响.结果表明,在1200~1400℃范围内,随着烧结温度的降低,陶瓷的压敏电压降低、介电常数增大,同时非线性系数有所减小.兼顾陶瓷压敏和介电特性,烧结温度选择1350℃为宜.    

8.  TiO2压敏陶瓷的研究进展  
   巩云云  初瑞清  徐志军  马帅  郝继功  李国荣《材料导报》,2014年第11期
   TiO2压敏陶瓷的压敏电压低、非线性系数高、介电常数大、制备工艺简单,在电子、通信、航天航空等高新技术产业的低压保护中具有广阔的应用前景。主要从粉体制备工艺、叠层方式烧结、烧结氛围、烧结温度及保温时间、掺杂物质及浓度等方面归纳总结了TiO2压敏陶瓷的研究状况,并展望了其今后的研究趋势。    

9.  烧结温度对WO_3系电容-压敏复合陶瓷电性能的影响(英文)  
   王天国  邵刚勤  李喜宝  张文俊《稀有金属材料与工程》,2009年第38卷第Z2期
   研究了烧结温度对WO_3系电容-压敏复合陶瓷显微结构、非线性电学性能及介电性能的影响.随着烧结温度从1050 ℃到1200 ℃的升高,WO_3陶瓷的晶粒尺寸增大,压敏电压随之降低.在1150 ℃烧结条件下,掺杂0.8 mol% Y_2O_3 的WO_3 压敏陶瓷样品表现出优良的综合电性能,其非线性系数为3.5,相对介电常数为1.13×10~4.然而,过高的烧结温度,不利于样品的非线性电学性能.WO_3系电容-压敏复合陶瓷较适合的烧结温度为1150 ℃,这是因为,在此温度下最有利于样品的晶界势垒结构的形成.    

10.  钨掺杂对二氧化钛压敏电阻瓷电性能的影响  被引次数:7
   苏文斌  王矜奉  陈洪存  王文新  臧国忠  李长鹏《电子元件与材料》,2002年第21卷第5期
   通过对样品的伏案性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响。研究发现掺入x(WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42.5V/mm,非线性系数α达到9.6,以及较高的相对介电常数(εr=7.41×104),是一种具有较好潜力的电容-压敏电阻器。通过不同烧结温度的实验,发现1 350℃是最佳烧结温度。类比ZnO压敏材料的晶界势垒模型,提出了适合TiO2压敏材料的肖特基势垒模型。    

11.  粉料埋烧的TiO2瓷压敏和介电性质  被引次数:1
   孟凡明《压电与声光》,2006年第28卷第1期
   基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同的(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测量,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的电性能的影响。结果表明,采取粉料埋烧可以明显降低压敏电压、提高介电常数。    

12.  Ce掺杂的TiO_2电容-压敏材料结构和电性能研究  被引次数:4
   孟黎清  李红耘  熊西周  罗绍华《电瓷避雷器》,2003年第6期
   通过对样品压敏性能、介电性能的测定和晶体结构、表面形貌分析,研究了CeO2对TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现CeO2对TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,0.4%摩尔分数CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的表观介电常数(εr=158600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是一种较有潜力的新型电容-压敏电阻器。    

13.  CeO2对TiO2系电容-压敏复合陶瓷电性能的影响  被引次数:2
   罗绍华 唐子龙 李红耘 闫俊萍 张中太 熊西周《稀有金属材料与工程》,2004年第33卷第7期
   通过对样品压敏性能和介电性能的测定,研究了CeO2对Nb-TiO2电容-压敏电阻器的影响。研究发现,晶界处硅钛酸铈相的生成使Ce02对Nb-TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响。在1350℃烧结条件下,掺杂量为0.4m01%CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的相对介电常数(εγ=158600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是1种具有较好潜力的新型电容-压敏电阻器。    

14.  Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷结构及性能的影响  
   康昆勇  徐开蒙  刘灿  杨晓琴  郑志锋《无机材料学报》,2018年第4期
   TiO_2压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件,本文研究了Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影响。采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB和漏电流JL等电学性质,并根据相关公式计算样品平均势垒高度。XRD、XPS、SEM和STEM分析表明,Ge掺杂显著改变TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷微结构,提高非线性系数α和减小压敏电压EB。当施主Nb_2O_5和受主CaCO_3掺杂浓度分别为0.5mol%时,掺杂1.0mol%Ge的压敏陶瓷获得了最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=10.6,EB=8.7 V/mm),明显优于不掺杂Ge的TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷。此外,Ge熔点较低,作为烧结助剂可以降低陶瓷的烧结温度,TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度是1300℃。    

15.  制备工艺和添加剂对TiO2体系陶瓷的复合功能特性的影响  
   宋朝文  徐庆  黄端平《陶瓷学报》,2007年第28卷第3期
   TiO2体系复合功能陶瓷是一种兼有压敏功能和介电性能的新型功能陶瓷材料,具有压敏电压低、非线性系数高、介电常数大等优点,在微小型电子设备与器件中有广泛的用途。本文从制备工艺、添加改性等方面分析了TiO2体系复合功能陶瓷的研究现状,并对其发展方向进行了展望。    

16.  表面层对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响  被引次数:4
   张小文  甘国友  严继康  陈敬超  杜景红《压电与声光》,2005年第27卷第3期
   用电子陶瓷工艺制备了(La,Sr)掺杂的TiO2压敏-电容双功能元件,其压敏电压(V1mA)为8~38V·mm-1,非线性系数为3~5.5,介电常数可达105。样品的压敏电压受表面层影响显著,随着厚度的减少,V1mA从27~38V·mm-1降至8~15V·mm-1,但非线性系数与介电常数受表面层的影响甚小,这主要与烧结后在冷却过程中,空气中的氧在样品表面沿晶界扩散所形成的表面"氧化层"有关。    

17.  铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3的改性研究  
   王宁章  李建业  刘静  宁吉  高雅《材料导报》,2013年第27卷第18期
   铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数)。最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌。    

18.  真空低温烧结的SrTiO_3复合功能陶瓷  
   王宁章  卢安栋  唐江波  罗婕思  文章《材料导报》,2011年第25卷第16期
   选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损耗tanδ可以控制在10%以下,漏电流可以控制在50μA以下。    

19.  低压双功能TiO2压敏陶瓷的研究  被引次数:1
   严继康  甘国友  杜景红  张开文  季惠明  徐廷献《昆明理工大学学报(理工版)》,2003年第28卷第2期
   采用一次烧成工艺制备了具有电容性和压敏性双功能TiO2陶瓷.考察了Nb2O5施主掺杂对TiO2压敏陶瓷的显微结构、介电性能和压敏性能的影响.结果表明随Nb2O5掺杂量的增加,样品的晶粒粒径变大、晶界层变薄;压敏电压V1mA减小、非线性系数α和介电常数ε增大.当Nb2O5掺杂量为2mol%时,TiO2压敏陶瓷有较好的压敏特性ε=22 000、V1mA=2.8 V和α=3.8.    

20.  不同烧结工艺对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响  被引次数:2
   孟凡明《功能材料与器件学报》,2005年第11卷第2期
   分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样.通过压敏电压、非线性系数、复阻抗特性、伏安特性、势垒高度、介电频率特性和损耗频率特性的测定,研究了一次烧成、粉料预烧及预烧方式对TiO2基压敏陶瓷电性能的不同影响.结果表明,采取一次烧成工艺制备的试样具有压敏电压较低(E10mA=7.9 V·mm-1)、介电常数较大(εra=5.88×104)等特性,并从理论上对此作出一定的分析.    

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