现代交流传动控制技术的回顾与展望

本文简述了交流传动控制的发展历程、相关电力电子器件发展的密切关系及今后的发展趋势。     

超突变结变容管容压变化指数的研究

应用改进的超突变绿变容管杂质分布模型，对以杂质分布的不同参起来 特征的容压变化指数ｎ进行了数值计算并绘成了关系曲线图。     

电热激励微悬臂梁谐振器输出电压影响因素研究

制作了电热激励硅 /二氧化硅双层微悬臂梁谐振器。对影响谐振器输出电压的因素研究结果表明 :减小梁宽度、硅层厚度、环境气压和温度 ,可增大微悬臂梁谐振器输出电压 ;输出电压随激励功率增加而增大 ;谐振器输出电压与谐振器根部压敏电桥电源电压成正比。最后论述了提高谐振器输出电压的可行途径     

碳纳米管的分子动力学模拟

碳纳米管的纳米级尺寸在很大程度上限制了人们对它的了解、测试与观测，严重地影响了它的发展和应用。因此，必须有简单可行的方法来合理计算、测量碳纳米管的各种特性，计算机模拟无疑是研究这种特殊材料的极佳方法。采用分子动力学模拟的方法，来模拟碳纳米管的物理特性。首先模拟了碳纳米管的热稳定性，发现单壁开口碳纳米管的热稳定性将随着管径的增大而变差，同时开口碳纳米管在真空中保持稳定的极限温度在3000K左右。接着模拟了两根开口碳纳米管的碰撞过程以及成键情况，模拟结果表明在开口端的碳原子非常活跃，极易与其它活性原子成键并且形成新的分子结构，这预示了只要使用一些简单的切割和组合就可以用碳纳米管组成纳微机械；最后对碳纳米管轴承结构的研究显示出碳纳米管之间仅仅存在很小的范德华力，这种独特的特性预示着碳纳米管构成的纳微机械会有卓越的机械特性。     

小波变换式可燃性气体探测器的探讨

目的：为了设计小波变换式可燃性气体探测器。方法：根据小波变换技术，可燃气体探测器的国家标准（GB15322－94）和本质安全型电路的国家标准（GB3836．4－83）来设计小波变换式可燃性气体探测器，结果与结论：对该探测器，我们得到了4条结论：（1）由于采用了二次小波变换技术，所以抗干扰能力强，避免了误报警；（2）是本质安全型的，（3）具有良好的温度及湿度性能；（4）具有良好的长期稳定性。     

SiC埋层的制备与性质研究

在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层。通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析。结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC。SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成。     

场致发射显示器的现状与发展

通过对场致发射显示器（FED）发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析，着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点，并介绍国外著名公司的研究动态，展望FED的发展趋势。     

提取IGBT外延层载流子寿命的新方法

文章提出了一种基于IGBT等效电路模型及其I-V特性曲线拟合提取IGBT低掺杂外延层载流子寿命的新方法。文中的IGBT模型运用精确的双极输运理论而不是其它文献报到的准静态条件假设,通过压控电阻模型准确描述IGBT高阻厚外延层的电导调制效应,取得了很好的效果。该模型完全与SPICE应用程序兼容,可以精确算出IGBT输出I-V特性及载流子寿命等参数。     

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。     

槽栅IGBT 硅化物自对准技术研究

本文设计了一种全自对准的槽栅IGBT（绝缘栅双极晶体管）结构，其工艺简单，全套工艺只有两张光刻版，是现有IGBT工艺中最少的，而且现金闪光刻之间没有套刻关系，避免了套刻误差，提高了工艺成品率。同时，降低了制版费用和制造成本。设计了一种独特的IGBT多重沟道短路结构，有效的防止闩锁。用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现金属接触全自对准，可使元包尺寸减小到2μm甚至更小，增加了IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度，提高了电流，使器件导通电阻低于0.23mΩ/cm^2。用砷（As）掺杂代替磷（P），可有效提高源区表面浓度，实现浅结工艺。