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41.
NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法. 相似文献
42.
集成电路多目标优化设计的一般性问题及其求解方法 总被引:3,自引:0,他引:3
郝跃 《固体电子学研究与进展》1990,(2)
本文分析了集成电路设计和制造方面的特点及参数最优化的一般性问题.分析了集成电路设计初级阶段多目标优化的必要性和必然性.从这些特点出发综合了目前在这一领域已有的工作和方法,并就多目标优化的数学方法,集成电路设计和制造的统计性规律以及多目标优化的特殊对策作了较详细的描述.同时,给出了作者在此方面的一些工作.本文的目的是通过分析和讨论,给出集成电路优化设计的特殊性以及目前存在的问题,同时看到这一研究的必要性,以明确其研究目标和方向. 相似文献
43.
本文论述了采用最优化计算方法提取集成双极晶体管模型参数的原理及其过程。重点在求解非线性目标函数和梯度的方法。求解非线性目标函数采用了改进的N-R方法和终值传递方法,不仅使目标函数求解的收敛性得到了保证,而且使迭代次数大为减少。对梯度的求解采用了伴随网络法,可以一次性将目标函数对每个参数的梯度求出。文章比较了改进的方法和原始N-R方法,说明了改进方法的优点。最后给出了晶体管实测结果与理论计算结果,说明本文使用方法的可行性。 相似文献
44.
45.
本文介绍目前流行的深亚微米主流ASIC设计流程.设计方法及相关流行的EDA工具轶件,着重讨论超大规模深亚微米ASIC设计过程中相关的仿真接术(Simulation)。逻辑综合(Logic Synthesis),静态对序(Static Timing)分析和自动测试(Auto Test)技术。 相似文献
46.
47.
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。 相似文献
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