基于重定时的高性能控制电路间接测试生成方法

对性能驱动控制逻辑进行测试生成难度较大,通常要加入可测性结构,但会影响原电路优化性能并增加生产成本.本文以重定时理论为基础,提出了对高性能时序电路进行间接测试生成的方法,这种方法在不影响原电路任何优化特性的前提下,可显著降低测试生成时间,提高测试生成质量.在ISCAS’89部分基准电路进行实验,结果证明了其有效性.     

基于结构的PCB逻辑再综合

由中、小规模IC芯片构成的专用电路PCB微型化有重要实际意义。本文介绍基于结构的PCB逻辑再综合方法及我们开发的实验性逻辑再综合系统,系统将数字电路PCB再综合成某种工艺条件下基于标准单元实现的ASIC,其核心是利用PCB的逻辑结构并进行一系列的基于结构的冗余去除、逻辑优化及结构优化;利用标准单元匹配实现ASIC逻辑电路并进行时序调整和时间优化;经模拟正确的电路进行基于标准单元的布局布线。     

AMBA片内总线结构的设计

对AMBA片内总线通讯协议进行简要介绍之后，采用Top-Down设计方法完成了AMBA片内总线结构所有控制部件的RTL级硬件建模，并通过逻辑综合、优化得到了门级电路网表。经验证，符合AMBA规范，频率达100MHz。     

硅中氧沉淀成核实验研究

通过对相同硅片不同时间低温退火和相同的高温退火后氧沉淀诱生缺陷密度的测量,判明氧沉淀核密度随低温退火时间的加长呈线性增加。实验中得到的成核速率与按均匀成核经典理论计算之结果比较一致。因此认为,对所采用的硅单晶在具体工艺条件下,氧沉淀是以均匀成核为主。根据不同温度等时低温退火处理后9μm吸收峰的比较,发现,间隙氧浓度随低温退火温度的升高而递增。这只能用均匀成核理论来解释,因而这一实验结果可作为均匀成核的另一依据。