全文获取类型
收费全文 | 76篇 |
免费 | 7篇 |
国内免费 | 41篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 2篇 |
化学工业 | 29篇 |
机械仪表 | 1篇 |
建筑科学 | 5篇 |
矿业工程 | 1篇 |
武器工业 | 29篇 |
无线电 | 40篇 |
一般工业技术 | 5篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 10篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 10篇 |
2006年 | 12篇 |
2005年 | 11篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 8篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 2篇 |
排序方式: 共有124条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
22.
采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. 相似文献
23.
以物质的电子、空间等结构性质为基础,运用Gaussian98和Cerius2程序包对偶极距(Dipole)、最高占据轨道能量(EHOMO)、最低空轨道能量(ELUMO)、分子总能量(E)、旋转键(Rotlbonds)、最弱的R-NO2键长(R-NO2 bond length,R为C或N)、氢键供体(Hbond donor)和中点势(Vmid)8种描述符进行了计算,采用Cerius2程序包中的QSPR方法建立了芳香系炸药密度与8种描述符之间的构效关系式,相关系数R为0.909,30个化合物所构成的训练集和15个化合物所构成的预测集预测密度与实测密度之间的平均误差分别为3.33%和2.94%。 相似文献
24.
25.
新设计一种高能量密度化合物3-硝基氧化偶氮基-4-硝氨基吡嗪并-4’,6’-二氧化-1’,2’,3’,4’-四嗪(简称NAPTDO)。采用B3LYP法,在6-31G**基组水平上对其结构进行了优化,计算了其性能,得其稳定的几何构型;在振动分析的基础上求得体系的振动频率、IR谱,采用Monte-Carlo法计算了密度,利用Polizer等推导的固相生成焓预估公式估算了生成焓,使用Kamlet-Jacobs公式和VLW方程预估了爆轰性能。结果表明:NAPTDO由四嗪环并吡嗪环构成,2个环几乎在同一个平面内,形成离域大π键,硝基氧化偶氮基与吡嗪环呈一定夹角,且硝基不稳定,易脱落;NAPTDO预估性能与HMX和CL-20相比较,其密度(2.002g·cm-3)、爆速(9569 m·s-1)和爆压(50.18 GPa)均高于HMX,略高(或基本相当)于CL-20。 相似文献
26.
本文利用氧化偶氮呋咱基团与三种多硝甲基氧化偶氮基团设计了六种新型多硝甲基氧化偶氮呋咱衍生物分子结构,利用密度泛函理论、热力学和经验公式计算并预估了六种化合物的物化及爆轰性能。结果表明:六种化合物均具有良好的物化及爆轰性能,特别是R3和R4,其晶体密度分别高达2.04 g/cm~3和2.01 g/cm~3,爆速分别为9441 m/s和9433 m/s,爆压分别为42.5 GPa和42.1 GPa,综合性能优异,可以作为潜在的高能量密度化合物。 相似文献
27.
28.
29.
30.