基于VMT的USB2.0功能验证平台的设计与实现

针对大规模混合SoC功能验证速度慢的问题,在基于USB 2.0数据传输的SoC设计基础上,提出了一种能快速验证USB 2.0协议的功能验证平台。使用验证模型技术,通过硬件描述语言搭建了完整的协议验证平台,包括Vera语言编写的主机VIP、用Verilog语言编写的数字化USB收发器、串行接口引擎、端点缓存器、增强型8051核和外部程序存储器。完成了对USB 2.0底层协议的功能验证,包括高速握手协议、高速/全速设备枚举及高速/全速设备数据传输,实验仿真结果与USB 2.0协议规范完全符合。该平台能降低对USB 2.0接口进行功能协议一致性验证的难度,并有助于缩短大规模数模混合SoC的开发周期。     

基于March C-算法的SRAM BIST电路的设计

针对某SOC中嵌入的8K SRAM模块,讨论了基于March C-算法的BIST电路的设计.根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率,研究了测试算法的选择、数据背景的产生,并完成了基于March C-算法的BIST电路的设计.实验证明,该算法的BIST实现能大幅提高故障覆盖率.     

内嵌14位DAC的高速直接数字频率合成器的设计

利用CORDIC算法实现相位幅度的转换;嵌入双路归零编码方式输出、电流源控制开关、14位DAC,成功设计了一种高速直接数字频率合成器.经0.18 μm 6M2P CMOS工艺流片,芯片面积为4.19 mm×3.17 mm,在1 GHz的工作频率下,输出信号在98.6 MHz处,SFDR为68.39 dB.     

PMOS辐照检测传感器总剂量效应模型研究

根据PMOS辐照检测传感器在辐照时所产生的氧化层电荷(Qot)的两个不同模型,模拟计算了不同剂量条件下的亚阈值特性。结果表明,在满足一阶动力学方程下建立的Qot模型与实验结果较为吻合,并适用于更大范围的辐照剂量。此外,还讨论和计算了栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度等参数对PMOS辐照检测传感器特性的影响。结果表明,栅氧化层厚度是影响阈值电压漂移量的主要因素。     

2-1-1级联连续时间型ΣΔ调制器系统设计

高阶连续时间型ΣΔ调制器提供了一种有效的获得高分辨率、低功耗模数转换器的方法.提出了一种新型的2-1-1级联的连续时间型ΣΔ调制器结构.采用冲激不变法将离散时间型ΣΔ调制器变换为连续时间型ΣΔ调制器,利用Simulink对该调制器进行系统级建模和仿真,峰值信噪比达到105dB.分析了电路的非理想因素对调制器行为的影响,以获得90dB信噪比为目标确定了电路子模块指标.仿真结果表明,该结构能有效降低系统功耗,并验证了电路的可行性.     

基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片

本文提出可集成自提取结终端的0.35μm 150V-BCD （双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体）全套新型高压工艺．利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC （双极集电极）结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO （P型隔离结构）传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDN-MOS/LDPMOS （N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI （微光显微镜）等寄生现象出现．     

0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计

提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流（~pA）和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.     

基于0.5μm CMOS工艺的高压器件

近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23～25V,P管击穿BVdssp>19V.