无线无源声表面波传感器研究进展

声表面波（SAW）传感器是一种无线无源传感器,在无源传感、适应恶劣环境等许多方面具有普通传感器不能实现的优点.阐述了声表面波器件的原理和结构特点,并对射频信号收发、信息处理等关键技术进行详细论述,综述了近些年国内外的相关研究现状,并进行了总结与展望.     

多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响

为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强.     

低辐射薄膜的研究进展

低辐射薄膜(Low-E Film)发展了20多年,它的高可见光透射率和高红外紫外光的反射率被应用在很多领域.低辐射薄膜一般由在线法和离线法制备,所得结构不同,性能也有较多差异.时低辐射薄膜的制备方法、性能,以及最新研究进展和应用进行了综述,并对2种类型的低辐射薄膜进行了比较.     

不同基片对溅射制备MgTiO3-CaTiO3薄膜的影响

微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美.随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化.较好沉积温度是610℃～650℃.     

FBAR用AlN薄膜的射频反应溅射制备研究

采用射频反应磁控溅射法，制备了用于薄膜体声波谐振器的（002）取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为（002）取向为主混合少量（103）取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向，获得好的（002）取向的基片温度在380℃～400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式，要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0．3～0．4，氮气分压比高有利于（002）取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率，且与氮气分压关联，较合适的值为12W／cm^2～15W／cm^2。     

一种基于薄膜体声波谐振器的高灵敏度质量传感器

介绍了一种针对于生物传感应用的薄膜体声波谐振(thin film bulk acoustic resonator,FBAR)质量传感器.薄膜体声波谐振器谐振频率非常高(能够达到几兆赫兹),同时具有较大的品质因数,基于这种器件的质量传感器具有非常高的质量灵敏度.首次提出了三对全金属的A1-W层作为布拉格声学反射层的FBAR,制备出了固态装配型的FBAR传感器.通过淀积不同厚度Al层顶电极分析了器件的质量灵敏度,仿真得到的质量传感器串联谐振频率在2.8 GHz附近,质量响应度达到5×10-4 ng/Hz//cm2,可以实现分子量级的质量传感.     

压电变压器的研究进展

压电变压器利用压电陶瓷材料自身的压电和逆压电效应来实现升降压，同传统的电磁变压器相比较，具有体积小、无电磁污染、升压比随工作频率和阻抗变化的特点。本文详细评述了用于压电变压器的铁电陶瓷材料的电畴特性、性能参数和掺杂改性的方法，以及压电变压器的变压原理、一般等效电路图和各种各样的压电变压器，分析了现阶段压电变压器存在的问题，并展望了压电变压器的发展方向。     

铁电阴极的发射机理及相关问题探讨

铁电阴极具有能耗小、响应速度快、真空要求低、制备简单等优点,本文重点讨论了对铁电阴极两种不同发射的解释--极化反转和等离子体发射,并对铁电阴极的制备、工作强度、典型应用等问题作了简要分析.     

微扰法测量介质陶瓷薄膜的介电特性

对于介质陶瓷薄膜，特别是厚度小于1μm的介质陶瓷薄膜，我们提出了一种新的基于微扰理论的测量方法，本文对该方案进行了理论推导，获得了计算介质陶瓷薄膜复介电常数和Qf的公式，并设计了实际的测试方案，以具体的介质陶瓷薄膜作了测试验证和误差分析。结果表明，该方案是可行的，测量结果具有较高的精度(7％)，最后提出了对系统的改进方案。     

深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究

研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。