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As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm 相似文献
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高亮度发光二极管(HB-LED)具有节能、环保、长寿命、耐恶劣环境、响应时间短等优点,随着GaN基蓝绿光、紫外光和白光LED的出现,其应用领域不断扩大。今后几年超高亮度LED的发光效率将提高到60-100ml/W,价格下降到现有灯泡价格的1/10左右,其应用从目 相似文献
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