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1 IntroductionZnOisawide gap ( 3.2eVatroomtemperature)semiconductormaterialhavingthewurtzitestructurewithdirectenergyband .Ithasbeenconsideredasapromis ingmaterialforoptoelectronicdevicesinthenearultraviolet(UV)andbluespec tra .AninterestingfeatureofZnOisitsl… 相似文献
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掺杂Al2O3纳米粉对ZnO厚膜气敏传感器性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
以ZnO纳米粉(平均粒径30 nm)和Al2O3纳米粉(平均粒径5 nm)为原料,利用传统的厚膜气敏传感器制备工艺制备了纯ZnO厚膜气敏传感器和掺杂Al2O3(掺杂量为2wt%和5wt%)的ZnO厚膜气敏传感器.对这三种厚膜传感器的本征电阻及对乙醇蒸汽的敏感特性进行了测试.结果表明:掺杂少量Al2O3纳米粉可明显降低ZnO气敏传感器的本征电阻,改善传感器的烧结性能,同时还可降低其最佳工作温度,提高器件对乙醇的灵敏度.结合厚膜气敏传感器的显微结构分析结果,对出现上述差异的原因进行了讨论. 相似文献
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用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4~8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带. 相似文献
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用固相反应方法合成了Na5YSi4O12的纯相样品。用XRD及SEM研究了合成反应过程,对反应过程的中间状态及组成进行了比较,给出了消除杂相,得到致密纯相NYS样品的方法。 相似文献
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水热处理对SnO2厚膜气敏传感器性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
研完了水热处理对于SnO2厚膜气敏传感器性能的影响。为了便于作对比,首先把SnO2纳米粉(平均粒径约200nm)平均分为两份:一份不经处理,直接用传统的厚膜传感器制备工艺制成气敏传感器(称为“原粉传感器”);另一份经过200℃水热处理后,用同样的工艺制备成厚膜气敏传感器(称为“预处理粉传感器”)。利用乙醇、丙酮、CH4、H2和CO气体对这两种气敏传感器的性能进行了测试,结果表明预处理粉传感器的灵敏度和选择性明显优于原粉传感器。为了分析出现这种差异的原因,我们对这两种传感器的显微结构进行了分析,并在此基础上对实验现象进行了讨论。 相似文献
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利用溶剂热压方法,以ZrO2(5%Y2O3)纳米粉和几种不同的溶剂为原料,制备了一种新型的体块ZrO2多孔纳米固体,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、压汞仪和差热-热重(DTA-TGA)分析方法对样品进行了表征.进一步地,我们研究了溶剂的种类、温度和压力对ZrO2多孔纳米固体的孔容及孔径分布的影响,并对ZrO2多孔纳米固体的热稳定性进行了初步分析.测试结果表明制备的ZrO2多孔纳米固体的孔径分布范围很窄,孔容为0.1~0.2cc/g,比表面积为30~50m2/g,孔隙率为35%o~45%;另外,通过改变溶剂的种类、温度和压力可以在一定程度上调变多孔纳米固体的孔径、孔容及比表面积. 相似文献
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