基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

Preliminary Study on Electrical and Optical Properties of ZnO Film Grown by MOCVD

1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｎＯｉｓａｗｉｄｅ ｇａｐ ( 3.2ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ)ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｈａｖｉｎｇｔｈｅｗｕｒｔｚｉｔｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗｉｔｈｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ .Ｉｔｈａｓｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄａｓａｐｒｏｍｉｓ ｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓｉｎｔｈｅｎｅａｒｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ａｎｄｂｌｕｅｓｐｅｃ ｔｒａ .ＡｎｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｆｅａｔｕｒｅｏｆＺｎＯｉｓｉｔｓｌ…     

HY沸石催化剂催化苯酚和三氯乙醛的二次缩合反应

以三氯乙醛为亲电试剂,在HY沸石催化剂上实现了苯酚和三氯乙醛的二次缩合反应。研究了反应温度、时间、催化剂(催化剂用量、硅铝比、催化剂失活、回收和再生)、溶剂、原料配比、投料方式等反应参数对二次缩合反应的影响,筛选了催化剂,优化了反应参数。研究结果表明,硅铝比较高的HY沸石催化剂,Brnsted酸位较少,和含有孤对电子的酚羟基氧的相互作用较弱,保证了芳环的亲核性,可以较好地催化苯酚和三氯乙醛的二次缩合反应。     

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

采用金属有机化学气相沉积生长了InP/GaAs0.5Sb0.5/InP 双异质结晶体三极管(DHBT)材料,研究了材料质量对器件性能的影响.制备的器件不但具有非常好的直流特性,而且还表现出良好的微波特性,其结果与能带理论的预言一致,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为1.00和1.06,击穿电压高达15V,电流放大增益截止频率超过100GHz.     

掺杂Al2O3纳米粉对ZnO厚膜气敏传感器性能的影响

以ZnO纳米粉(平均粒径30 nm)和Al2O3纳米粉(平均粒径5 nm)为原料,利用传统的厚膜气敏传感器制备工艺制备了纯ZnO厚膜气敏传感器和掺杂Al2O3(掺杂量为2wt%和5wt%)的ZnO厚膜气敏传感器.对这三种厚膜传感器的本征电阻及对乙醇蒸汽的敏感特性进行了测试.结果表明:掺杂少量Al2O3纳米粉可明显降低ZnO气敏传感器的本征电阻,改善传感器的烧结性能,同时还可降低其最佳工作温度,提高器件对乙醇的灵敏度.结合厚膜气敏传感器的显微结构分析结果,对出现上述差异的原因进行了讨论.     

GaP纳米复合发光材料的合成及性质

用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4～8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.     

合成Na5YSi4O12过程中几个晶相性质研究

用固相反应方法合成了Ｎａ５ＹＳｉ４Ｏ１２的纯相样品。用ＸＲＤ及ＳＥＭ研究了合成反应过程，对反应过程的中间状态及组成进行了比较，给出了消除杂相，得到致密纯相ＮＹＳ样品的方法。     

反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响

研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响,研究结果表明以Li3N和BBr3为原料制备立方氮化硼时,温度对产物中立方相含量有很大影响,在200～400℃,产物主要为六方相氮化硼,随温度升高,立方氮化硼的含量随之增加;继续升高温度立方相含量在480℃达到极大值,这时样品中仍然是六方相氮化硼与立方氮化硼共存,但立方氮化硼占优势;继续升高温度,立方氮化硼迅速减少,六方氮化硼含量增加.     

二氧化锆多孔纳米固体的制备与性质表征

利用溶剂热压方法,以ZrO2(5%Y2O3)纳米粉和几种不同的溶剂为原料,制备了一种新型的体块ZrO2多孔纳米固体,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、压汞仪和差热-热重(DTA-TGA)分析方法对样品进行了表征.进一步地,我们研究了溶剂的种类、温度和压力对ZrO2多孔纳米固体的孔容及孔径分布的影响,并对ZrO2多孔纳米固体的热稳定性进行了初步分析.测试结果表明制备的ZrO2多孔纳米固体的孔径分布范围很窄,孔容为0.1～0.2cc/g,比表面积为30～50m2/g,孔隙率为35%o～45%;另外,通过改变溶剂的种类、温度和压力可以在一定程度上调变多孔纳米固体的孔径、孔容及比表面积.     

水热处理对SnO2厚膜气敏传感器性能的影响

研完了水热处理对于SnO2厚膜气敏传感器性能的影响。为了便于作对比,首先把SnO2纳米粉（平均粒径约200nm）平均分为两份：一份不经处理,直接用传统的厚膜传感器制备工艺制成气敏传感器（称为“原粉传感器”）;另一份经过200℃水热处理后,用同样的工艺制备成厚膜气敏传感器（称为“预处理粉传感器”）。利用乙醇、丙酮、CH4、H2和CO气体对这两种气敏传感器的性能进行了测试,结果表明预处理粉传感器的灵敏度和选择性明显优于原粉传感器。为了分析出现这种差异的原因,我们对这两种传感器的显微结构进行了分析,并在此基础上对实验现象进行了讨论。