0.13 μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计

本文应用Cadence Virtuoso软件平台设计了一个电阻并联交流反馈式共源共栅超宽带低噪声放大器,并采用中芯国际0.13μm CMOS工艺实现了样片。测试结果给出,在供电电压为1.5V,功耗为22.5mW的情况下,芯片最大增益为13.6dB,最小噪声系数为3.6dB,带内噪声系数小于6dB,输入三阶互调截点(IIP3)为-3dBm。测试结果与仿真结果非常接近。     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

一种用于低电压集成锁相环的省面积的双通道环路滤波器

This paper proposes an area-saving dual-path loop filter（LPF）for low-voltage integrated phase-locked loops（PLLs）.With this LPF,output current of the lowpass-path charge-pump（CP）is B times（B〉1）as great as that of the integration-path CP.By adding voltages across these two paths,the zero-capacitance is magnified B times equivalently.As a result,the chip size is greatly reduced.Based on this LPF,a 1.2 V 3.5 GHz-band PLL is fabricated in SMIC 0.18μm RFCMOS technology.Its zero-capacitance is only 1/30 of that in conventional second-order LPFs. Measured data show that,at a frequency of 3.20 GHz,phase noise is–120.2 dBc/Hz at 1 MHz offset,reference spur is–72 dBc,and power is 24 mW.     

利用VPCM设计深亚微米RFCMOS的LCVCO

本文介绍了采用SMIC RF CMOS技术的设计方法以及VPCM的确性,并设计了一款高性能LCVCO来验证VPCM。     

基于ISO/IEC 15693无源标签芯片SoC结构分析和防冲撞控制研究

射频识别技术RFID(Radio Frequency Identification)是利用射频信号通过空间耦合实现非接触信息传递并通过所传递的信息达到识别目的的技术,它是自动识别技术在无线电技术方面的具体应用和发展。在HF频段通过线圈耦合磁场载波信号提供能量是RFID最大的特点,大大提高了卡片的使用寿命。文章首先分析了基于ISO/IEC15693协议的无源标签SoC系统结构,主要分析前端电路和数字基带处理电路的模块功能,详细分析了各个分模块的功能参数要求;其次对协议防冲撞指令进行了深入探讨,并基于Slot时隙EOF提出指令操作流程。     

具有片上巴伦的CMOS超宽带接收机

本文介绍了一种具有片上巴伦的超宽带(UWB)3GHz～5GHz直接转换接收机。它由电容交叉耦合共栅极低噪声放大器(LNA)和改进型吉尔伯特混频器组成,采用SMIC RFCMOS技术。仿真结果表明,本文所设计的UWB接收机具有较好的输入匹配(<-9dB)、3.9dB～5.5dB的噪声系数和19dB～25dB的功率转换增益。在1.2V供电情况下消耗22mA电流,并占用0.66×0.8mm~2芯片面积(包括焊盘)。     

一种测量差分片上螺旋电感类器件的简便方法

This paper proposes a simple method of measuring differentially-excited on-wafer RF CMOS spiral inductor-like components.This method requires only two common ‘G-S-G＇ probes and an ordinary two-port VNA.Using a network instead of a detailed equivalent circuit, this method completes the de-embedding with only one ‘Through＇ dummy, and thus the measurements are greatly simplified.By designing the ports ‘Open＇ or ‘Shortcircuited＇ deliberately, a multi-port transformer can be transformed into three two-port networks with different terminators.Then, couplings between the two coils can be solved, and the differentially-excited scattering parameters（S-parameters） can be constructed.Also, a group of differential inductors and transformers were designed and measured, and then comparisons between simulated and measured electromagnetic results are performed to verify this method.     

CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析

该文分析了基于中芯国际0.18m CMOS工艺的差分电感和串联电感对,提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应,并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后,通过对一组变间距的电感对进行测量分析,验证了该模型的准确性和适用性。     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

一种高性能、低功耗音频ΣΔ调制器

设计了一个应用于18位高端音频模数转换器(ADC)的三阶低功耗ΣΔ调制器. 调制器采用2-1级联结构,通过优化调制器系数来提高其动态范围,并减小调制器输出频谱中的杂波. 电路设计中采用栅源自举技术实现输入信号采样开关,有效提高了采样电路的线性度;提出一种高能效的A/AB类跨导放大器,在仅消耗0.8mA电流的情况下,达到100V/μs以上的压摆率. 针对各级积分器不同的采样电容,逐级对跨导放大器进行进一步功耗优化. 调制器在中芯国际0.18μm混合信号CMOS工艺中流片,芯片核心面积为1.1mm×1.0mm. 测试结果表明在22.05kHz带宽内,信噪失真比和动态范围分别达到91dB和94dB. 在3.3V电源电压下,调制器功耗为6.8mW,适合于高性能、低功耗音频模数转换器应用.