可用于光纤用户网的0.6μm CMOS激光驱动器

基于国内的CMOS技术和EDA工具以及全定制的设计方法,采用无锡华晶上华(CSMC-HJ)0.6μm CMOS技术实现了可工作于155Mb/s、622Mb/s的激光驱动器.该激光驱动器在50Ω负载上输出电流摆幅从0到50mA可调.在输出级3V直流偏置时最大输出电压摆幅可达2.5Vpp.输出电压脉冲的上升、下降时间分别小于471ps和444ps.四个工作速率下均方根抖动都小于30ps.电路在5V单电源供电时功耗小于410mW.芯片测试结果表明,该激光驱动器达到了世界同类集成电路的水平.     

0.6可用于光纤用户网的 0.6μ mCMOS激光驱动器(英文)

基于国内的CMOS技术和EDA工具以及全定制的设计方法 ,采用无锡华晶上华 (CSMC HJ) 0 6 μmCMOS技术实现了可工作于 15 5Mb/s、6 2 2Mb/s的激光驱动器 .该激光驱动器在 5 0Ω负载上输出电流摆幅从 0到 5 0mA可调 .在输出级 3V直流偏置时最大输出电压摆幅可达 2 5Vpp.输出电压脉冲的上升、下降时间分别小于 471ps和 44 4ps.四个工作速率下均方根抖动都小于 30ps.电路在 5V单电源供电时功耗小于 410mW .芯片测试结果表明 ,该激光驱动器达到了世界同类集成电路的水平 .     

10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片

基于0．18μm CMOS工艺设计的10Gb／s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。模拟结果表明，在1．8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb／s速率上，输入单端峰峰值为0．3V的差分信号时，在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1．4V，电路功耗约为85mW。     

10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片

介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.     

一款阻抗自校正5Gbit/s大摆幅电压模发送器

研究并设计了一款5 Gbit/s大摆幅电压模发送器,输出信号差分眼图高度可达1.2V.工作在1.2V电压下的输出驱动器由28个相同的子驱动器并联而成,且每个子驱动器都包含权重按照二进制关系递增的4个驱动单元,从而实现了去加重控制与阻抗校正相互独立.为了使输出驱动器的阻抗与传输线的特征阻抗匹配,提出了一种数模混合负反馈环路的阻抗自校正电路,对上拉和下拉部分电阻分别进行校正,实现了5％的校正精度和±40％的校正范围,且回波损耗(S11)在10 GHz时小于-15 dB.设计采用55 nm CMOS工艺流片,面积为320 μm×255 μm.数据率为5 Gbit/s时,功耗为51.81 mW,总的输出抖动为4.3 ps.     

复合多晶硅双极晶体管DC—3Gh／s LD／EA驱动器

本文介绍了一种新型LD／EA驱动器。该驱动 器采用四个塑封NPN多晶硅双极晶体管和一个常规硅双极晶体管作为有源器件，可以在25Ω负载上产生50mA的调制电流用于直接驱动激光器或在50Ω负载上产生2．5V的调制电压用于驱动EA调制器。该驱动器的工作速率为DC至3Gh/s，调制电流和偏置电流调节范围分别为5－50mA,上升、下降时间小于100ps。     

低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制

采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps．与体硅器件相比，全耗尽CMOS／SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件，亚微米全耗尽CMOS／SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择．     

24万兆比特每秒激光器/光调制器驱动电路

一种应用于高速光纤通讯系统的激光二极管／调制器的单片集成驱动电路已开发成功。该电路的制造使用了0．2μm PHEMT工艺,它的工作信号带宽超过12GHz。在12Gb／s速率下测得了摆幅峰值为3．4V的输出信号眼图。基于实验结果,我们判断该电路的最大工作速率超过24Gb／s。该驱动器电路使用单电源-4．5V供电,功耗小于1．8W。     

低功耗0．35um CMOS 2．5Gb／s16：1复接器设计

采用0．35um CMOS工艺设计了用于光纤传输系统的低功耗16：1复接器，实现了将16路155．52Mb／s数据复接成路2．5Gb／s的数据输出的功能。该复接器以混合结构形式实现：低速部分采用串行结构，高速部分采用树型结构。具体电路由锁存器、选择器及分频器组成，以CMOS逻辑和源极耦合逻辑（SCL）实现。用Smart SPICE软件进行仿真的结果显示：在3．3V供电时，整体电路的复接输出最高工作速度可达3．5Gb／s，功耗小于300mW。     

单电源供电放大电路INA155

<正> INA155是BB公司新推出的一种用CMOS工艺生产的单电源放大电路,其输出摆幅接近电源电压。该器件主要特点有:工作电压为2.7～5.5V;输出摆幅与电源电压之差小于10mV;失调电压低,典型值为±200μV;失调漂移小,典型值为+5μV/℃;内部固定增益为10或50;工作温度范围为-55～125℃;输入偏置电流小;增益为10时带宽为550kHz;压摆率为6.5V/μs。INA155采用SO-8或MSOP-8封装。     

10Gb/s 2.2V输出CMOS激光驱动器

采用逆向递推设计法,利用TSMC0．18μm CMOS工艺,设计实现了适用于超高速光纤通信系统的激光驱动器电路。核心电路为两级直接耦合差分放大器。电路设计中采用电感并联峰化技术拓展带宽和降低功耗。后仿真结果表明,在1．8V电源供电时,工作速率10Gb／s,输入单端峰峰值为400mV的差分信号,在50Ω的负载上可提供2．2V的输出电压。电路功耗185mW。版图面积为0．9mm〉40．95mm。     

应用于PLL的改进型自校准CMOS电荷泵电路

为提高锁相环中自校准电荷泵电路的稳定性,提出了一种改进型宽摆幅自校准CMOS电荷泵电路.该电路通过引入宽摆幅自校准反馈回路,使电荷泵在输出电压变化范围较大时,UP/DOWN两个开关电流完全匹配,而且该电路不需要专门的频率补偿即可确保绝对稳定.该电荷泵采用0.25μm CMOS混合信号工艺实现.当供电电压2.5V,电荷泵输出节点电压在0.3~2.2V范围内变化时,UP和DOWN电流差值小于2%.     

10Gb／s0．18μm CMOS限幅放大器

采用SMIC0．18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb／s速率上。小信号增益为46．25dB,-3dB带宽为9．16GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1．8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。     

复合多晶硅双极晶体管DC～3 Gb/s LD/EA驱动器

本文介绍了一种新型LD/EA驱动器.该驱动器采用四个塑封NPN多晶硅双极晶体管和一个常规硅双极晶体管作为有源器件,可以在25Ω负载上产生50mA的调制电流用于直接驱动激光器或在50Ω负载上产生2.5V的调制电压用于驱动EA调制器.该驱动器的工作速率为DC至3Gb/s,调制电流和偏置电流调节范围分别为5～50mA,上升、下降时间小于100ps.     

一种25Gbit/s CMOS判决反馈均衡器设计

为满足高速光通信系统的应用，基于标准40 nm CMOS工艺设计了一款25 Gbit/s判决反馈均衡器(DFE)电路，采用半速率结构以降低反馈路径的时序要求。主体电路由加法器、D触发器、多路复用器和缓冲器组成，为了满足25 Gbit/s高速信号的工作需求，采用电流模逻辑(CML)进行设计。经过版图设计和工艺角后仿验证，该DFE实现了在25 Gbit/s的速率下可靠工作，能提供10 dB的均衡增益，峰-峰差分输出电压摆幅约为950 mV,眼图的垂直和水平张开度均大于0.9 UI,输出抖动小于3 ps,在1.1 V的电源电压下功耗为12.5 mW,芯片版图的面积为0.633 mm×0.449 mm。     

一种大电流高输出阻抗电流镜的设计

设计一种增强型的共源共栅电流镜。通过放大器的负反馈,这里设计的电流镜在不增大基本电流镜输入阻抗的基础上,具有比传统电流镜更高的输出阻抗和更高的电流匹配精度,同时该电流镜也有高于传统共源共栅电流镜的输出电压摆幅。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,在3.3 V电源电压,输入电流为10 mA时,该电流镜的输出阻抗达到200 MΩ以上,输出电压摆幅为0.2~5 V,电流匹配精度误差小于0.016%,电流一致性误差小于0.5%。     

应用于神经信号再生系统的跨导放大器

采用华润上华0.6μm标准CMOS混合信号工艺设计了一种应用于植入式神经信号再生系统的跨导放大器.该放大器采用全差分结构以获得高输出摆幅,利用源反馈技术改善线性度,并设计了共模反馈电路以稳定共模输出电压.该跨导放大器工作在5V的电源电压下,具有0.55 S的跨导增益和100 kHz的3 dB带宽,可以满足系统的需要.     

基于SST驱动器的低功耗10 Gbit/s发射机

基于SMIC 40 nm CMOS工艺,提出了一种可适用于背板与芯片互连的10 Gbit/s低功耗发射机。该发射机由半率前馈均衡器、时钟信号接收电路和源串联终端(SST)驱动器组成。前馈均衡器采用半率结构,以降低发射端的时钟信号频率。通过对发射端信号进行预加重,消除了码间干扰的影响。改进了SST驱动器的输出阻抗校准电路,解决了输出阻抗在不同工艺角下的波动问题。在相同输出摆幅下,SST电压模式驱动器的功耗为传统电流模式(CML)驱动器的1/4。结果表明,发射机的数据率为10 Gbit/s,传输信道在5 GHz Nyquist频率处的衰减为14.2 dB。在1.1 V电源电压下,传输信道输出信号的眼高为147 mV,眼宽为79 ps。发射机的总功耗为20.6 mW。     

1.25 Gb/s低功耗CMOS光接收机限幅放大器

设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的限幅放大器。电路采用有源电感负载来拓展带宽、稳定直流工作点 ,通过直接耦合技术来提高增益、降低功耗。测试结果表明 ,在从 5 m Vp- p到 5 0 0 m Vp- p,即40 d B的输入动态范围内 ,在 5 0 Ω负载上的单端输出电压摆幅稳定在 2 80 m Vp- p。在 5 V电源电压下 ,功耗仅为1 30 m W。电路可稳定工作在 1 5 5 Mb/s、62 2 Mb/s、1 .2 5 Gb/s三个速率上。     

基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO

基于0.35μm CMOS工艺设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(cap-free LDO),通过误差放大器组成的环路控制稳态误差,通过摆率增强电路构成的环路改善瞬态响应。该LDO输出电压为1.72V,压差80mV,最大输出电流50mA。测试结果显示:负载电流(IL)在0.5μs内瞬变50mA时,俯冲电压和过冲电压均为80mV左右,重回稳态的时间均小于1.5μs。