10～37GHzCMoS四分频器的设计

给出基于0．13μmCMOS工艺、采用单时钟动态负载锁存器设计的四分频器。该四分频器由两级二分频器级联而成。级间采用缓冲电路实现隔离和电平匹配。后仿真结果表明其最高工作频率达37GHz,分频范围为27GHz。当电源电压为1．2V、工作频率为37GHz时,其功耗小于30mW,芯片面积为0．33-0．28mm2。     

高速低功耗自适应可编程分频器

在约翰逊计数分频器的基础上,设计了一款双级结构分频器,采用系数自适应分配技术,显著提升了分频器的工作频率,并有效降低功耗。基于45nm CMOS工艺进行仿真,结果表明:该分频器最高工作频率可达8GHz,在1GHz时,49分频的双级可编程分频器功耗仅为63μW,在8GHz时,功耗为312μW。与典型的约翰逊结构相比,双级分频器工作频率可提升1.6倍,在分频器系数设置为6时,最大功耗优化比达到51.82%。     

高速低功耗多模分频器的设计

基于相位转换技术的多模分频器由于其在工作频率和功耗中能更好地折中而得到广泛的应用.为了进一步降低功耗,利用两级反相器对其相位信号进行整形,使工作频率最高的前两级÷2分频器能降低输出幅度的要求,从而大大降低功耗.这两级反相器还可以调整相位信号占空比为25%,甚至更小,从而增大相位控制信号的延时余量,实现无毛刺的加计数相位转换.基于相位转换4模分频器的基本原理,设计了一个2.55 GHz的多模分频器.仿真结果表明,采用0.35μm BiCMOS工艺,在3.3 V电源电压下,分频值为128～255,最大功耗不到14 mW.     

WSN射频芯片中6GHz RF CMOS低功耗双模前置分频器的设计

介绍了一种可以应用在无线传感网射频芯片中的超高速、低功耗32/33双模前置分频器的内部结构、电路设计原理以及版图设计.该前置分频器采用0.18 μm RF CMOS工艺制作,工作频率范围为1～6 GHz,工作温度范围为-20～+80℃,在I.8 V电压下正常工作频率为4.8 GHz,最高工作频率达到6 GHz,电源电流为2.5 mA,满足系统指标要求.     

16 GHz CMOS 4:1分频器

采用TSMC 1.18 μm标准CMOS工艺实现了一种4:1分频器.测试结果表明,电源电压1.8 V,核心功耗18 mW.该分频器最高工作频率达到16 GHz.当单端输入信号为-10 dBm时,具有5.8 GHz的工作范围.该分频器可以应用于超高速光纤通信以及其它高速数据传输系统.     

一种超低功耗5 GHz双模预置分频器

介绍了一种改进型的超高速、低功耗双模预置分频器(÷64/65、÷128/129)。该预置分频器采用0.35μm BiCMOS工艺制作,在3.5 V电源电压下最高工作频率达5 GHz,电源电流为4mA,电源电压3.3 V时最高工作频率达4.8 GHz。预置分频器工作在0.5~5 GHz频率范围内输入灵敏度小于-20 dBm,工作在-55~125℃温度范围,最高频率达4.5 GHz。     

一种1.8 V 4.8 GHz 0.9 mW 0.18 μm CMOS分频器

给出了一个电源电压为1.8 V、功耗为0.9 mW的4.8 GHz二分频器。该分频器采用基于反转触发器(TFF)的电路结构,使用动态负载,输出I、Q两路正交信号。对设计的电路采用标准UMC 0.18μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,该分频器工作频率可达6.5 GHz。     

基于0.13 μm CMOS工艺的低电压高速1:2分频器设计

在光纤传输系统中,分频器是工作在最高频率的电路之一,起着至关重要的作用,本文就采用了由锁存器构成的数字1:2分频器.采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了电源电压为1V,工作频率范围为5～20GHz的1:2分频器电路.该电路由基本分频器单元以及输入输出缓冲组成.基本分频器单元采用单端动态负载锁存器.整体电路功耗...     

用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管

报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力.     

一种新型小数/整数分频器

提出了一种新型小数/整数分频器电路结构,详细分析了该小数/整数分频器的工作原理.该分频器与传统分频器相比,具有控制简单、电路复杂度低、工作频率高等特点.设计基于TSMC 0.25 μm 2.5 V 1P5M CMOS工艺,最高工作频率为4.5 GHz,功耗为10.37 mA,并可以实现128到264之间小数、整数分频.后仿真结果表明,该分频器对频率合成器相位噪声特性有很好的改善作用.     

基于E-TSPC技术的10 GHz低功耗多模分频器的设计北大核心CSCD

基于扩展的真单相时钟（E-TSPC）技术,设计了一款用于10 GHz扩频时钟发生器（SSCG）的分频比范围为32~63的多模分频器（MMD）。在设计中,基于D触发器的2/3分频器采用了动态E-TSPC技术,这不仅降低了功耗和芯片面积,而且改善了最高工作频率。MMD由5级2/3分频器级联而成,由5 bit数字码控制。详细介绍和讨论了2/3分频器和MMD的工作原理和优势。MMD是SSCG的一部分,采用55 nm CMOS工艺进行了流片,芯片面积为35μm×10μm,电源电压为1.2 V,最高工作频率为10 GHz,此时功耗为1.56 m W。     

新型双模前置32/33分频器设计

提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D-Latch进行分频;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频,从而实现高速、低功耗、低噪声双模前置32/33分频器。基于TSMC的0.18!mCMOS工艺,利用CadenceSpectre工具进行仿真。该分频器最高工作频率可达到5GHz,在27℃、电源电压为1.8V、工作频率为5GHz时,电路的功耗仅4.32mW(1.8V×2.4mA)。     

10.5GHz1:2静态分频器设计与实现

采用0.18μm CMOS工艺设计并实现了1∶2静态分频器。设计中为达到高速率和高灵敏度,对传统的SCFL结构D触发器进行了拓扑及版图优化。测试结果表明,电源电压为1.8V时,该分频器最高工作频率高于10.5GHz,最低工作频率低于2.5MHz(受测试条件限制),输入信号0dBm时的工作频率范围为2.5MHz～9.4GHz,芯片核心功耗9mW,核心面积50μm×53μm。     

2.4GHz动态CMOS分频器的设计

对现阶段的主流高速CMOS分频器进行分析和比较,在此基础上设计一种采用TSPC(truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技术的前置双模分频器电路.该分频器大大提高了工作频率,采用0.6μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,在5V电源电压下,最高频率达到3GHz,功耗仅为8mW.     

一种新的相位开关实现技术及其在射频双模预分频器中的应用

提出了一种新的相位开关实现技术.基于这种技术设计了一个2/3分频器单元,该单元结构简单,工作频率高,功耗低.为了验证该技术,采用0.25μm CMOS数字工艺实现了一个128/129双模预分频器.对该芯片的测试结果表明其能正确工作于GHz频率范围.当工作频率为2.3GHz时,它消耗的电流仅为13.5mA(2.5V电源电压),芯片面积为0.47mm×0.47mm.     

基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器

<正>南京电子器件研究所基于76.2 mm(3英寸)InP HBT圆片工艺,研制出最高工作频率达100 GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果,此电路可在2~100 GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果,此电路可在75~100 GHz范围内实现二分频。     

BFL与非门或非门单元组成的高性能GaAs分频器的设计

根据多种GaAs单元电路的工作特点,设计了两个基于GaAsBFL单元的2分频器,单元结构简单．工作频率高,功耗低。模拟仿真的结果显示,其工作频率分别可以达到40GHz和25GHz。     

高速吞脉冲程序分频器的电路设计与 PSPICE模拟

介绍了一种新的吞脉冲程序分频器的电路设计,并用0.8 μm CMOS工艺模型在微机上进行了SPICE模拟,其最高工作频率可达1.7 GHz.与一般吞脉冲程序分频器相比,具有电路简洁、高频、快速的特点,可广泛应用于各种锁相频率合成器中.     

高性能双模前置分频器设计

提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频.这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以满足低功耗和低噪声要求.从而使总体电路实现高速、低功耗、低噪声要求.基于TSMC的0.18 μmCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具进行仿真.该分频器最高工作频率可达到5 GHz,在27 ℃、电源电压为1.8 V、工作频率为5 GHz时,电路的功耗仅4.32 mW.     

一种BiCMOS 11-GHz低功耗静态分频器

介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器。该电路采用0.35μm BiCMOS工艺制作,晶体管fT达21 GHz(Vce=1 V)。该分频器在-5 V电源电压下功耗为52.5 mW,最高工作频率达到11 GHz;在-55℃和85℃温度时,最高频率仍能达到10.2 GHz;输入功率-25 dBm时,可工作在2~10 GHz的频率范围。