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一种高性能的新结构IGBT 总被引:3,自引:3,他引:0
提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT( NPT- IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT- IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT- IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40 相似文献
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具有P型浮空区的槽栅IGBT结构 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出了一种具有P型浮空层的新型槽栅IGBT结构,它是在之前所提的一种积累层沟道控制的槽栅IGBT(TAC-IGBT)基础之上引入了一浮空P型层。此结构在维持原有TAC-IGBT低的正向导通压降和更大正向偏置安全工作区(FBSOA)的同时,减小了器件的泄漏电流,提高了器件的击穿电压,也使得器件的短路安全工作区大大提高,且制造简单,设计裕度增大。仿真结果表明:对于1200V的IGBT器件,具有P型浮空层的新型槽栅IGBT结构漏电比TAC-IGBT小近一个量级,击穿电压提高近150V。 相似文献
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本文对一种新的IGBT结构——“内透明集电区IGBT”(ITC-IGBT)进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层,同时适当降低高复合层以上P区掺杂浓度。仿真结果表明,无论是穿通型结构(有缓冲层)还是非穿通型结构(无缓冲层)的ITC—IGBT,在器件工作电流范围内都具有饱和电压正温度系数,解决了现有的用外延片制造的PT—IGBT所难以克服的饱和电压负温度系数的缺点,有利于IGBT的并联使用。对于1200V以下的IGBT,该新结构开辟了一种可以避免超薄片操作的简单的制造良好温度性能器件的途径。 相似文献
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首次对600 V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较.ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果.仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT.说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径. 相似文献
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文章提出了一种基于子电路的IGBT模型,并对IGBT的温度特性进行模拟。用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效果。用SPICE的LEVEL_8模型,确保模拟的精确性和收敛性。模拟结果表明,无论PT型还是NPT型IGBT,其温度系数均可正可负,纠正了一种普遍的观点称为PT型IGBT,其温度系数可正可负而NPT型IGBT,其温度系数只为正。模拟结果与实验对比符合较好。 相似文献
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IPOSIM是一个功能强大的IGBT仿真工具,能够计算IGBT和续流二极管的开关损耗和导通损耗,仿真其温度分布和结温纹波,又增添一些灵活的负荷定义、比较等功能,因而更具价值。文中简单介绍了计算1GBT损耗的基本理论和相关热分析模型以及应用该工具的相关原则。同时,结合UPS的基本特点和负载特性,重点分析如何有效地利用这个工具来选择IGBT,以及掌握在不同设计和应用条件下1GBT的运行状态。最后以5kVA UPS的实际应用作为案例。 相似文献
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Modeling buffer layer IGBTs for circuit simulation 总被引:5,自引:0,他引:5
The dynamic behavior of commercially available buffer layer IGBTs is described. It is shown that buffer layer IGBTs become much faster at high voltages than nonbuffer layer IGBTs with similar low voltage characteristics. Because the fall times specified in manufacturers' data sheets do not reflect the voltage dependence of switching speed, a new method of selecting devices for different circuit applications is suggested. A buffer layer IGBT model is developed and implemented into the Saber circuit simulator, and a procedure is developed to extract the model parameters for buffer layer IGBTs. It is shown that the new buffer layer IGBT model can be used to describe the dynamic behavior and power dissipation of buffer layer IGBTs in user-defined application circuits. The results of the buffer layer IGBT model are verified using commercially available IGBTs 相似文献
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压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因具有双面散热、短路失效和易于串联等优点,正逐步应用到柔性直流输电等领域.但其在工作过程中的热学、力学特性与传统焊接式IGBT模块相比有很大差异,故存在不同的长期可靠性问题.基于有限元法建立了压接型IGBT器件单芯片子模组多物理场耦合仿真模型,研究了三种功率循环仿真条件下器件的热学和力学特性,并且在功率循环过程中利用金属弹塑性模型来模拟材料的瞬态特性.仿真结果表明,IGBT芯片发射极表面与发射极钼片相接触的边缘是应力集中区域,芯片发射极表面栅极缺口和四周边角处有明显的塑性变形.同时,将仿真结果与实际失效的IGBT芯片进行了对比,进一步验证了仿真模型的有效性和适用性. 相似文献
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The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 kV IGBTs with different backside structures are investigated and compared by using the curve tracer. The results show that the snap back behavior of the breakdown waveform is related to the bipolar PNP gain, which leads to the deterioration of the breakdown voltage. There are two ways to optimize the backside structure, one is increasing the implant dose of the N C buffer layer, the other is decreasing the implant dose of the P C collector layer. It is found that the optimized structure is effective in suppressing the snap back behavior and improving the breakdown characteristic of high voltage IGBT. 相似文献
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阐述了当前2.5~4.5kV高压IGBT的最新制造技术和典型器件结构,认为高压大电流IGBT器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。 相似文献