也谈一阶电路的能量陷阱

根据文献[1]提出的能量陷阱的概念，并通过分析一阶电路的能量特性，对存在能量陷阱的根本原因、充要条件以及在非零输入情况下，落入陷阱的能量作了进一步探讨。     

GaNHFET的低频分散特性

对ＡｌＮ／ＧａｎＨＦＥＴ的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测，发现了由ＧａＮ沟道层中陷阱作用引起的分散特性，陷阱的激活能量大约为１ｅＶ。     

双层有机电致发光器件有机层厚度优化的数值研究

在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率的依赖关系. 研究发现,对于给定的HTL和EML的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率,存在一个最优的HTL和EML之间的厚度比率,在此最优厚度比下,器件的电流密度和量子效率达到最大.通过有机层厚度的优化,器件的电流密度和量子效率可提高多达两个数量级.另外,还研究了最优厚度比随有机层特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率之间的定量关系.     

双层有机电致发光器件有机层厚度优化的数值研究

在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为“阳极/空穴输运层( HTL) /发光层( EML) /阴极”的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率的依赖关系.研究发现,对于给定的HTL 和EML 的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率,存在一个最优的HTL 和EML 之间的厚度比率,在此最优厚度比下,器件的电流密度和量子效率达到最大.通过有机层厚度的优化,器件的电流密度和量子效率可提高多达两个数量级.另外,还研究了最优厚度比随有机层特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率之间的     

影响非接触式能量传输效率的因素分析

非接触式能量传输方式可以解决接触式能量传输带来的各种问题。但非接触式能量传输存在较大漏感，传输效率受到限制。本文通过对非接触武能量传输的分离式变压器的拓扑结构，补偿容抗电路，闭环控制电路的研究与分析，设计一套非接触能量传输平台，提高非接触能量传输的效率。文章完成了非接触传输系统的硬件电路和实验平台的搭建，实验结果证明在一定输入条件下，在气隙间隙5mm的条件下传输效率达7096，随着气隙增大传输效率明显降低。     

用于远程传感器的能量收集器

当前，电力电路正在采用一种全新的理念，即能量收集（energy scavenging）。该技术能够利用太阳能电池、压电发电机、以及其它能量转换设备来收集能量，然后将其转换为电能，并存储在电容器中，以备使用。很多情况下，传感器电路不需要持续运行，因此，在传感器停止工作期间，能量即可以得到补充。在此例中，太阳能电池及一个1F电容器用以为移动探测器提供能量，该移动探测器使用RF链路将发生的情况随时发送到中央监视器。这一类型的传感器极为方便，无需线缆，也无需更换电池。     

氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性

一种经过氮化处理背面吸杂的Ｎ沟ＭＯＳ场效应管，在较宽的温度和偏置范围下对其内烁噪声进行测量，将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能谱进行比较发现，器件经过短时间背面吸杂，其闪烁噪声降低，相长时间吸杂则噪声趋势，探究噪声能量谱与温度的依赖关系表明，器件的低频噪声是由载流子对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面陷阱的热激发造成的，而背面吸杂则导致Ｓｉ－ＳｉＯ２的应力衰竭，进而改变了截面陷阱的能量分布。     

利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究

基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布 .发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽的 ,同时也与文献报道的 DCIV等方法的结果是一致的 .与其它的提取方法相比 ,采用弛豫谱技术的这两种方法更加简单和方便 .     

利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究

基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布.发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽的,同时也与文献报道的DCIV等方法的结果是一致的.与其它的提取方法相比,采用弛豫谱技术的这两种方法更加简单和方便.     

双极型器件慢界面陷阱能量分布的1／f噪声分析方法

位于Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近的具有长时间常数的载流子陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响．根据笔者建立的双极晶体管表面１／ｆ噪声分析模型，通过测量栅控晶体管１／ｆ噪声的栅压特性，可获得这种慢界面陷阱密度在禁带中心附近的能量分布．本文给出了该方法的模型推导、参数提取、分析步骤和应用实例．     

SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 ,并获取所需的存储陷阱分布参数     

一种改进的能量回收逻辑电路

文本分析了能量回收电路的功耗组成，指出非绝热损失是能量回收电路的主要功耗能量来源，提出了一种改进的能量回收逻辑电路IERL。IERL电路增加了额外的回收路径，能够显著降低电路的非绝热损失，HSPICE模拟结果表明，IERL电路具有很好的低功耗性能。同时，给出了IERL电路的复杂逻辑门设计与级联方式，用0．8μm DPDM工艺实现了2位IERL全加器电路和两相正弦功率时钟电路。     

容差电路k故障诊断理论和方法

本文在理论上揭示了偏差－故障电路可及点电压变化阵方向能量与故障信息阵，偏差干扰阵方向能量间的定量关系，分离出最大方向能量子空间，并提出了该子空间与故障信息子空间的最大接近度概念。技术上，本文给出了定位准确度与当今最精良的非线性最小二乘法相当，而定位速度快３００－５００倍的多故障定位新方法－广义反投影法。     

电容充电电路的能量效率分析

本文结合RC电路和RLC串联电路,讨论了电容充电电路的能量效率。对RC电路,分析了采用指数型电压源进行充电的能量效率。对RLC串联电路,讨论了各种响应特性下进行充电的能量效率,并指出如果利用电路的欠阻尼响应特性,可以大幅提高充电的能量效率。本文的讨论对“电路”课程的教学具有一定的参考价值。     

SM-PDP老炼系统设计

针对SM-PDP的实际老炼工艺需求和实测的各项工艺指标，设计了一套专用的老炼电路系统。该系统包括高压驱动电路，保护电路和控制电路。高压驱动电路中采用了能量复得维持驱动技术，大大减少系统的寄生电阻和寄生电容上的能量损耗，保护电路考虑了多种保护方案，可有效地实现对屏和系统的保护，控制电路可方便地实现各种控制调整，并具备良好的工作状态显示。本系统已经在25 inch SM-PDP开发项目中得到应用。     

超级电容应用-智能水表

智能水表简介传统的智能水表在控制水阀开启和关断时，普遍采用的方法是内装锂电池。锂电池的优点是重量轻、能量大、自放电率低等。虽然如此，由于智能水表都没有设计再充电电路，锂电池使用到一定时间后，将无法为控制电路提供能量，不得不更换电池。上门为用户更换电池或水表，这对于水表生产厂家和自来水公司来说都是一件繁琐的事情。更危险的是，电池电量不足的情况出现是随机的，如果不精确和及时     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化

用Q-t,TVS,C-V和TSIC方法研究了HCl氧化物MOS结构中的钠离子纯化和陷阱能量分布.在含有很干燥的 0-10％ HCl的氧气氛中进行硅的热氧化,温度 1160℃,时间35分钟,然后制成MOS结构.当钠的沾污范围为10~(11)到2.5 ×10~(15)离子/厘米~2时,大于4％的HCl氧化物的钝化效率为 99.5％到 99.99％。在 HCl MOS结构的硅边有两种陷阱态:带电态和中性态,中性态的陷阱能量依赖于HCl的浓度和BTS处理时的温度和电场强度.     

非线性容差电路的故障诊断

文章着重讨论如何根据容差电路有限可及点上的电压测量，诊断其线性和（或）非线性元件故障，文章利用Ｇｒａｓｓｍａｎｎ流形中的子空间距离证明了ε－故障锥的存在，并由此导出容差干扰下的可诊性条件。为了区别非线性元件的自身故障与似故障。本文仔细分析了可及点电压变化阵的方向能量椭球，并提出了相对方向能量准则。仿真表明，该准则对容差影响是鲁棒的。     

多晶硅TFT热载流子效应的模拟研究

热载流子效应引起的器件电学特性退化会严重影响电路的工作性能。文章结合多晶硅薄膜晶体管沟道电流的理论模型,讨论了热载流子效应与界面陷阱的关系。沟道载流子在大的漏电场牵引下,运动到漏结附近获得很大的能量从而成为热载流子。如果热载流子能量超过Si-SiO2界面势垒高度,会注入到栅氧层或陷落到界面陷阱,使阈值电压和沟道电流发生退化现象。同时,对多晶硅薄膜晶体管输出特性进行了模拟分析,模拟结果与理论模型基本一致。