AlN／聚乙烯复合材料的介电性能

利用模压法制备AlN/聚乙烯复合基板,研究了AlN的添加量和形态对复合基板的介电性能的影响,结果表明,随AlN含量的增加,介电常数及介质损耗均增加,在同一添加量下,纤维AlN的介电常数最大,晶须AlN次之,粉体AlN最小,而粉体AlN的介质损耗最大,纤维AlN次之,晶须AlN最小,复合材料介电常数的计算模型可描述为：ε^k=ψ1ε^k1 ψ2ε^k2 ψ3ε^k3。     

Ti—B复合细化后的CuZnAl形状记忆合金

对在ＣｕＺｎＡｌ形状记忆合金中复合加入Ｔｉ、Ｂ元素后的组织及性能进行了研究．结果表明：铸造组织及淬火组织得到明显细化效果；细化后的合金冷加工性能良好，在马氏体状态下时效８个月后未发生马氏体稳定化现象。     

铝基板阳极氧化成膜温度与膜层结构

对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物。较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层。     

规则结晶形态氮化铝颗粒的自蔓延高温合成

以铝粉和AlN粉末为原料，按重量比60／40的比例进行混合，加入3wt％NH4F和3wt％碳黑，在8MPa的氮气气氛条件下进行高温自蔓延合成，合成产物为具有良好结晶形态的规则AlN颗粒．采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了加入NH4F和碳黑后合成产物形态和物相的变化情况．研究结果表明同时加入NH4F和碳黑使得燃烧过程出现了后烧现象，即样品可以维持在高温阶段较长的时间，促进了AlN气相的传输，最终使得AlN颗粒以较为规则的外形生长．     

碳热还原法合成氮化铝的机理与热力学条件

介绍了碳热还原制备氮化铝的各种反应机制 ,通过对各种反应机制的分析和热力学计算 ,评述了气固反应机制、固相反应机制和矿化剂催化反应机制的特点、反应过程和热力学条件 .根据对反应过程的热力学分析 ,认为有气相和液相参与的固相扩散反应机制 ,能够较好的解释碳热还原的反应过程 ,但反应的中间产物和两种不同机制之间的相互作用、转化条件等仍需进一步完善     

ZnO包覆A12O3填充环氧树脂的导热与介电性能

采用溶胶-凝胶法制备出ZnO包覆A12O3的复合粉体,并将其添加入环氧树脂中,研究其热导率和介电常数.结果表明,发现经550℃煅烧2h后,产物的包覆层从水合草酸锌被缎烧成为ZnO;ZnO峰形尖锐,结晶良好,ZnO较好地包覆在A12O3周围.ZnO包覆A12O3的复合粉体添加到环氧树脂后,其热导率得到明显改善,且介电常数仍维持在较低水平(小于5).     

高导热聚合物基复合封装材料及其应用

微电子封装密度的提高对传统环氧塑封料的导热性能提出了更高的要求,将高导热的陶瓷颗粒/纤维材料添加到聚合物塑封材料中可获得导热性能好的复合型电子封装材料。文章结合高导热环氧塑封材料的研究工作,评述了高热导聚合物基复合封装材料的材料体系、性能特点和在微电子封装中的应用情况。分析讨论了影响聚合物基复合电子封装材料导热性能和介电性能的因素,提出了进一步提高聚合物基复合电子封装材料导热性能的途径。     

燃烧合成长柱状Yb优．Sialon粉体

研究了各参数对燃烧合成长柱状Yb α-Sialon相组成及形貌的影响。结果表明，不同m，n值对燃烧产物相组成有很大影响。原料中Si3N4，AlN，NH4F的增加有利于Si的氮化，同时，Si3N4和NH4F的增加使α-Sialon晶粒由柱状转变为颗粒状。燃烧合成长柱状α-Sialon的形成过程是α-Sialon首先从Yb-Si-Al-O-N液相中形核析出，然后在适宜的生长条件下择优生长，发育成长柱状晶体。     

常见金属材料浆体冲蚀腐蚀形貌观察与分析

利用体视显微镜和扫描电镜对几种常见金属材料的浆体冲蚀、腐蚀形貌进行了低倍和高倍的观察分析。结果表明：碳钢和铸铁试样表面不仅存在典型的磨粒冲蚀磨损形貌──微切削和变形磨损，而且还出现了浆体冲蚀剥落坑。不锈钢和高铬铸铁等耐蚀性较好的材料表面只出现了微切削和变形磨损。浆体中磨粒的冲饱和浆体中腐蚀性因素的相互作用，是导致耐蚀性差的试样表面出现大量冲蚀剥落坑的主要原因，同时冲蚀剥落坑的出现也是造成试样表面材料加速流失的主要原因。抑制腐蚀性因素的作用，使得试样表面只出现磨料粒子的微切削和变形磨损，因而材料流失速度大大降低。     

记忆合金火灾防护装置原理

本文介绍了形状记忆合金感温驱动器件的原理、特点及设计。同时探讨了这种新型传感驱动装置在煤矿火灾报警及防治中的应用。