1064nm RCE探测器光电响应特性分析

对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6～7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的Ｉ-Ｖ特性．     

Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响

由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.     

特种设备安装单位质量管理及证后监管方法研究

特种设备安装质量是保证特种设备安全运行的有力保证,而特种设备安装单位的质量保证体系的完整性和运转是否正常,是保证特种设备安装质量的前提,文章通过对现阶段特种设备安装单位质量管理现状及证后监管方式的探讨,提出相应的对策和建议供管理部门参考。     

GaAs/GaAlAs超晶格的光电流谱研究(英文)

The photocurrent (PC) spectroscopy of the GaAs/AlAs and GaAs/ AlGaAs superlattices (SLs) are studied by using a P-i-N photodiode structure in which the intrinsic regions are composed of SLs. The measurements were made at different temperatures ranging from 15K to 300K and with the application of transverse dc electric field. A sequence of exciton absorption peaks were observed and assigned according to the theoretical predictions based on the Kronig-Penney model calculations of sublevel energies in the coupled multiple quantum wells (MQWs). The SL structure parameters were checked by both the absolute peak positions and the heavy and light hole splittings. The quantum confined Stark effect of excitonic transitions in MQWs which is closely dependent on the barrier and well layer thicknesses was studied. The assignment of some forbidden transitions was proved by different ways. The PC spectroscopy was also measured by the excitation of linear polarized light in a side illumination mode.The anisotropic effect showed distinct features related to heavy and light holes, respectively.     

聚合物热光相移器件的研究及其应用

利用聚合物材料研制出热光Mach-Zehnder(MZ)型干涉调制器,单位相移为1.53π/(cm·℃),产生π相移所需功率为12mW.热光开关的响应时间为1.2ms,消光比为16dB,接近实用水平.并且讨论了热光相移在多种光电子器件中的应用.     

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.     

(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级

采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论.     

聚合物热光相移器件的研究及其应用

利用聚合物材料研制出热光Mach-Zehnder(MZ)型干涉调制器,单位相移为1.53π/(cm·℃),产生π相移所需功率为12mW.热光开关的响应时间为1.2ms,消光比为16dB,接近实用水平.并且讨论了热光相移在多种光电子器件中的应用.     

微机械可调谐滤波器的研制

利用GaAs/AlGaAs分布反馈Bragg反射镜在GaAs衬底上制作了一个微机械的调谐滤波器.该器件在7V调谐电压下调谐范围达28nm.