基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器

基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.     

辽东湾坳陷新近系馆陶组浅水三角洲的发现及其油气勘探意义

为突破辽东湾坳陷新近系馆陶组沉积相的早期认识对该区油气勘探下一步进展的制约,以沉积地质、地球物理和古生物相结合的分析方法,详细分析了湖泊及浅水三角洲存在的地质背景和证据。通过辽河坳陷馆陶组和明化镇组下段的沉积模式及可可西里卓乃湖-库赛湖区的现代沉积比较,结合孢粉百分含量法和相对比值法的半定量分析方法所揭示的古湿度和古温度分析结果,认为馆陶组主要是亚热带且湿度逐渐增大的气候条件下,以冲积扇和辫状河为主,具有大平原小前缘特点的浅水三角洲沉积模式。三角洲平原分为以冲积扇为主的上平原和以辫状河为主的下平原,三角洲前缘具有平面规模小、不稳定、河口坝和远砂坝不发育的特征。馆陶组下段封闭型湖泊面积小,以三角洲平原沉积为主;馆陶组上段湖域面积扩大,三角洲前缘更加发育,且次级洼陷之间由辫状河水系连通,呈敞流型湖泊特征。辽东湾坳陷新近系馆陶组浅水三角洲沉积体系的新认识使得前三角洲泥岩发育区可能成为区域性盖层,为下一步大型油气藏的勘探提供重要的地质指导。     

川东北地区长兴组-飞仙关组碳酸盐岩台地层序充填结构及成藏效应

川东北地区长兴组和飞仙关组可分别划分为两个Ⅱ型层序:PSQ1,PSQ2,TSQ1和TSQ2。除TSQ2由TST,EHST和LHST组成以外,其他层序均由TST和HST组成。在古断裂的控制下,长兴期至飞仙关期川东北碳酸盐岩台地呈现出独特的台-盆相间以及台地内的滩-洼相间沉积格局。古断裂和相对海平面变化分别通过控制沉积格局和沉积环境的水体能量变化而制约碳酸盐生产率和产出类型,从而影响碳酸盐岩层序充填结构特征。层序充填结构中发育的各成藏要素构成了川东北礁、滩气藏完整的生储盖组合。     

川西中三叠统雷四段微相特征及沉积充填模式

川西坳陷中段彭州气田的发现实现了深层海相碳酸盐岩勘探的重大突破。在沉积相标志识别的基础上,结合上扬子中三叠世的构造与沉积背景,分析了川西坳陷雷四段的沉积微相分布及白云岩台地的特征。     

综合评价模型自动选择研究

针对综合评价模型选择难的问题,从决策者、决策问题和决策模型3个角度出发,提炼出对模型选择有影响的关键属性,并筛选出典型的综合评价决策模型.利用C4.5方法计算各关键属性区分度构建相应决策树,生成相应决策规则.按照生成的决策规则及评价问题关键属性的取值实现模型自动选择.最后通过对城市与市政经济评价问题的实证分析,验证该方...     

采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。     

基于SiGe虚拟衬底的低场迁移率提升140%的应变Si沟道NMOS器件 Cui Wei(崔伟)1,2,Tang Zhaohuan(唐昭焕)2, Tan Kaizhou(谭开洲)2, Zhang Jing(张静)2,

本文研究了一种应变SiGe沟道的NMOS器件,通过调整硅帽层、SiGe缓冲层,沟道掺杂和Ge组分变化,并采用变能量硼注入形成P阱的方式,成功完成了应变NMOS器件的制作。测试结果表明应变的NMOS器件在低场(Vgs=3.5V, Vds=0.5V)条件下,迁移率极值提升了140%,而PMOS器件性能保持不变。文中对硅基应变增强机理进行了分析。并利用此NMOS器件研制了一款CMOS倒向器,倒向器特性良好, 没有漏电,高低电平转换正常。     

二十四所半导体工艺技术发展历程与展望

回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.     

基于电流方差的台区线损测算及其电力市场分析软件应用

对传统低压线损的计算方法进行了分析,重点介绍了利用有功电量确定电流方差,以及利用考核期内运行参数(实抄电量)确定线损指标的新方法,通过该方法计算的台区线损比传统低压线损的计算方法所得结果误差要小,基本满足台区线损指标要求.同时将文中提出的台区线损计算方法用于电力市场负荷预测,并开发出了新的电力市场分析软件.     

高速12位D/A转换器

介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.