综合评价模型自动选择研究

针对综合评价模型选择难的问题,从决策者、决策问题和决策模型3个角度出发,提炼出对模型选择有影响的关键属性,并筛选出典型的综合评价决策模型.利用C4.5方法计算各关键属性区分度构建相应决策树,生成相应决策规则.按照生成的决策规则及评价问题关键属性的取值实现模型自动选择.最后通过对城市与市政经济评价问题的实证分析,验证该方...     

基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器

基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.     

基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器

基于BiCMOS技术，进行了高速数字/模拟转换器研究. 以并行输入类型，电流工作模式的16位D/A转换器为载体，进行了电路设计、工艺制作和测试. 在±5.0V工作电压下，测试得到转换速率≥30MSPS，建立时间为50ns，增益误差为±8% FSR，积分非线性误差为1/2 LSB，功耗为500mW.     

基于电流方差的台区线损测算及其电力市场分析软件应用

对传统低压线损的计算方法进行了分析,重点介绍了利用有功电量确定电流方差,以及利用考核期内运行参数(实抄电量)确定线损指标的新方法,通过该方法计算的台区线损比传统低压线损的计算方法所得结果误差要小,基本满足台区线损指标要求.同时将文中提出的台区线损计算方法用于电力市场负荷预测,并开发出了新的电力市场分析软件.     

高速12位D/A转换器

介绍了高速12位D/A转换器的电路设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.     

面向安卓自动化测试工具综合评估

自动化测试工具是安卓应用质量保障的主要手段.随着安卓版本多样性、底层硬件差异性(碎片化)以及逻辑复杂性增加,自动化测试迎来新的挑战.为解决这些问题,近年来,业界开发出大量自动化测试工具.但是现有工具数量多,并且测试重点多样,测试人员选择工具时存在一定的困扰.为帮助测试人员选择最佳测试工具,实现对自动化测试工具的统一评估,提出了面向安卓自动化测试工具多特征综合评估方法(comprehensiveevaluation of Android automated testing, CEAT),并将其实现为便于测试人员使用的平台. CEAT在引入测试领域广泛接受的3个评估指标,即代码覆盖率、异常检出率、融合多版本兼容度得分的基础上,进一步基于变异测试的思想引入变异杀死率,并从用户体验出发引入UI控件覆盖率.以上5个指标构成CEAT整个体系,从而实现安卓自动化测试工具的综合多维评估.为验证CEAT的效果,生成了1 089个变异应用的待测应用集,在包含6个移动设备的真机集群中部署实验,对5个自动化测试工具适配并执行5 040次测试任务.最终结果表明:i) 5个指标从不同角度对自动化测试工具进行评估,...     

川西中三叠统雷四段微相特征及沉积充填模式

川西坳陷中段彭州气田的发现实现了深层海相碳酸盐岩勘探的重大突破。在沉积相标志识别的基础上,结合上扬子中三叠世的构造与沉积背景,分析了川西坳陷雷四段的沉积微相分布及白云岩台地的特征。     

辽东湾坳陷新近系馆陶组浅水三角洲的发现及其油气勘探意义

为突破辽东湾坳陷新近系馆陶组沉积相的早期认识对该区油气勘探下一步进展的制约,以沉积地质、地球物理和古生物相结合的分析方法,详细分析了湖泊及浅水三角洲存在的地质背景和证据。通过辽河坳陷馆陶组和明化镇组下段的沉积模式及可可西里卓乃湖-库赛湖区的现代沉积比较,结合孢粉百分含量法和相对比值法的半定量分析方法所揭示的古湿度和古温度分析结果,认为馆陶组主要是亚热带且湿度逐渐增大的气候条件下,以冲积扇和辫状河为主,具有大平原小前缘特点的浅水三角洲沉积模式。三角洲平原分为以冲积扇为主的上平原和以辫状河为主的下平原,三角洲前缘具有平面规模小、不稳定、河口坝和远砂坝不发育的特征。馆陶组下段封闭型湖泊面积小,以三角洲平原沉积为主;馆陶组上段湖域面积扩大,三角洲前缘更加发育,且次级洼陷之间由辫状河水系连通,呈敞流型湖泊特征。辽东湾坳陷新近系馆陶组浅水三角洲沉积体系的新认识使得前三角洲泥岩发育区可能成为区域性盖层,为下一步大型油气藏的勘探提供重要的地质指导。     

二十四所半导体工艺技术发展历程与展望

回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.     

采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。