GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。     

P-n结与异质结的隔离减少了DH激光器中阈值电流对温度的依赖性

文摘某些分子束外延生长的(Al,Ga)As双异质结激光器,在室温左右观察到激射阈值电流对温度(即使是负温发)的依赖性减少。这种现象可以通过P-n结与有源层异质结的隔离、而不能用分流或材料的非均匀性引起的增益变化来解释。也不能用通常解释引起非平面和多量子阱激光器阈值电流变化的态密度变化或电流拥塞来解释。为了实现激射,远结(离有源联相对较远的P-n结—译者注)需要进入有源层的少数载流子扩散,同时允许多数载流子流出有源层。多数载流子形成的电流无助于激射,反而增加了获得     

HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制

P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.     

用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析

研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺杂设计成阶梯状,可实现对xn0的精确提取。用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p+-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-VR关系。运用常规C-V法,由肖特基结的C-VR关系可提取出n区掺杂浓度。实现了对xn0的精确提取,其精度达1.8nm。基于精确的xn0,运用双边C-V法提取的p+区的掺杂浓度分布与Medici仿真结果非常吻合。     

应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响

本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaAsP/InP DH 激光器中,由于Zn在InGaAsP和InP晶体中的快扩散及外延生长期间Zn蒸气沾污是PN结偏位的主要原因.施主和受主掺杂的高浓度会产生隧道型 PN 结. 因此在研制激光器的工艺中,控制Zn的沾污及掺杂剂的浓度是非常重要的.     

辉光放电电子束掺杂硼浅结

一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10~(20)/cm~3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.     

氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性

报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )     

液相外延生长GaInAsP/InP双异质结的研究

本文报导在(100)晶向InP衬底上,液相外延生长(λ=1.0～1.31μm)GaInAsP/InP双异质结的研究结果。测定了600—670℃温度范围内InP在In中的饱和溶解度,研究了Te、Sn和Zn、Mg等掺杂剂的行为。用X光双晶衍射法研究了GaInAsP/InP异质结的晶格失配,用扫描电镜电子束感生电流法和电化学C-V法研究了外延片中p-n结偏位现象。用光吸收法测试外延片吸收边,估算了外延片中四元层的禁带宽度,并与制管后的发光波长作了比较。外延片可制得发光波长1.0～1.3μm、功率达1mw(100mA工作电流)的光通讯用小面积发光二极管。     

激光外延是制造p-n浅结的一种好方法

研究了用激光外延淀积硅薄膜的方法,制备了具有良好特性的p-n突变浅结。 实验样片是以低掺杂的P型硅片作基底,单面抛光,以重掺杂的N型硅为靶,用溅射法在衬底上淀积一薄层重掺杂的非晶硅膜,然后将样片用Ar~+激光器,以一定功率密度和扫描速度正面辐照,或CW CO_2激光器背面辐照,产生外延生长,形成了p-n突变浅结。其结深近似等于淀积硅膜厚度。用四探针测其薄层电阻R_o,激光外延后下降了一个数量级以上,用     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

离子注入在聚乙炔膜掺杂方面的应用

实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(CH)_x膜的注入区和原始区(p型)之间显示了P-n结的电流-电压特性,在37天多的时间里呈现了整流特性。还观察到它在空气中的稳定性获得改善。离子注入掺杂技术对于延长(CH)_x器件的寿命达到实用化来说可能是十分有用的。     

掺杂层的检测分析方法

<正> 一、前言在半导体基片中扩散杂质形成能导电的载流子,从而形成P-n结的技术已经由来已久了,近年来,随着器件的复杂化和IC设计规则向微米及亚微米靠近,对杂质扩散的要求也提高了,对于扩散深度、载流子浓度和深度方向的浓度分布都要求有精密的制控。除了扩散的方法以外,离子注入对于Si和Ⅲ-Ⅴ族化合物的掺杂也是经常采用的方法。离子注入掺杂可以根据离子的加速能量和离子剂量,     

双掺杂单结型p-n结空间电荷区静态特性理论及其实用

用一新的工艺解析模型求得双掺杂单结型p—n结空间电荷区静态特性的一般理论。基于对C—V曲线之“∫”形陡变区的定量分析,阐述了该理论在电调变容管中的实用结果,还给出器件的优化设计考虑。     

掺杂型异质结有机电致发光二极管及其稳定性

研制了高效率、高稳定性的聚合物／有机物异质结掺杂型电致发光二极管（LED）,它以新型聚合物三苯基二胺衍生物（PTPD）为空穴传输材料,高效荧光材料红荧稀（Rubrene）为掺杂剂,异质结基本结构为PTPD／Alq3。双层掺杂时,器件电致发光（EL）的量子效率为1．47％,大约是未掺杂异质结器件0．74％的2倍;与未掺杂器件和常用的TPD／Alq3二极管相比,掺杂器件的稳定性有了显著的提高。讨论了异质结掺杂型LED稳定性改善机理。     

用减小p~+-n~+结隧穿电流的方法来改进Si/SiGe/Si HBT的基极电流

本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Sip~+-n~+结的实验结果,与过去报道的用离子注入法制作的Si结相比,这些结中的寄生隧穿电流减小了三个数量级。这些结果对降低小尺寸双极晶体管,尤其是SiGe异质结双极晶体管(HBT)中的基极电流有十分重要的作用,而且外延界面的质量也有所提高。     

横向结构深结功率MOSFET漂移区的优化设计

本文用解析方法找出了具有横向结构和深结的功率MOSFET漂移区中的电场分布。从这个分析出发,推导出了能取得最小串联电阻并保证有一定结击穿电压的偏置栅功率MOSFET中漂移区的最佳均匀表面掺杂浓度和掺杂深度。提出了这类MOSFET的设计规则。同计算机模拟的结果进行了比较,结果表明,这些结论对某些实际结构是合理的。     

用减小p＋—n＋结隧穿电流的方法来改进Si／SiGe／Si HBT的基极电流

本文报道了用快速加热化学汽相外延法生长重掺杂Si/Si和Si/Ge/Si p -n 结的实验结果，与过去报道的用离子注入法昨的Si结相比，这些结中的寄生隧穿电流减小了三个数量级^[4]，这些结果对降低小尺寸双极晶体管，尤其是SiGe异质结双极晶体管（HBT）中的基极电流有十分重要的作用，而且外延界面的质量也有所提高。     

用光束诱导电流(OBIC)法研究的高压平面结

本文介绍了光束诱导电流法(OBIC)及其在高压平面结方面的应用。对有圆柱形边界的p~+n二极管进行了测量。测量结果说明了在表面有正、负电荷存在时OBIC信号的响应。 本文指出,虽然多层场环结构在一般情况下难以优化,但通过把OBIC测量与Briger模型相结合,可使其得到改善。在掺杂浓度为9×10~(13)/cm~3的n型衬底上,做优化了的四个场环结构,其耐压可达1550V。 在反偏的平面结中,最大载流子倍增点在其表面下几个微米处(视结深而定)。我们利用OBIC信号与波长的依赖关系发现,具有束深为20μm的横向可变掺杂结构的击穿在表面下5～10μm之间。     

无结器件的单粒子辐射效应

介绍了一种新型沟道非均匀掺杂的双栅无结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用Sentaurus TCAD仿真软件对不同沟道掺杂浓度(NSC)的沟道非均匀掺杂双栅无结MOSFET和传统双栅无结MOSFET进行了电特性与单粒子辐射效应对比研究,并分析了不同源端沟道掺杂与源端沟道长度(LSC)下新型双栅无结MOSFET的单粒子辐射特性。仿真结果表明,新型双栅无结MOSFET的电学特性与传统双栅无结MOSFET相差不大,但在抗单粒子辐射方面具有优良的性能,在受到单粒子辐射时,可有效降低沟道内电子-空穴对的产生概率,漏极电流与收集电荷都低于传统无结器件,同时还可以降低寄生三极管效应对器件的影响。