20钢、A_3及45钢的离子软氮化

本文提到了开展碳钢离子软氮化工艺研究的必要性;阐述了碳钢离子软氮化工艺的工作原理及硬化机理;通过试验结果分析,指出20钢、A_3及45钢进行离子软氮化处理,可获得渗速快、质量好、周期短、成本低、无公害等优越性。     

辉光离子氮化及其耐磨性

本文着重探讨了八种材料(钢和铸铁)在不同的工艺参数条件下,离子氮化硬度变化情况;研究对比淬火,气体软氯化,离子氮化及调质等热处理状态下,各种材料的耐磨性能;摸索本厂典型零件离子氮化变形规律,并推荐一种进一步减少变形量的第二次离子氮化法。     

塑模标准件顶杆用钢（TG2）的氮化

本文研究了塑料模具标准件顶杆用钢的氮化处理工艺,组织及性能。结果表明,TG2钢具有优良的氮化性能,氯化层形态优良,化合物层结构致密,硬度大于HV900,脆性较小,氮化处理后心部强度σ_(0.2)大于1000Mpa。TG2钢制氟化顶杆,其性能达到或超过国外同类产品制造水平。     

离子氮化+淬火的复合热处理工艺试验

本文介绍20~#、20Cr、45~#和40Cr四种钢经离子氮化+淬火的复合热处理后,能较大幅度地提高钢的强硬性。与单一氮化相比可提高硬度66～140%;与单一淬火相比可提高硬度40～59％。更为可贵的是经复合处理后,从表面至心部的硬度下降较缓慢,这是很有实用价值的。     

微波等离子氮化处理

自1923年A·Fry用氨分解气对钢实施表面氮化处理以来,这项工艺已获得广泛的应用。由于氮化层具有硬度高、耐磨性好及抗蚀等优异性能,至今仍有不少热处理工作者在对氮化技术作进一步的改进和探索,并且已提出了多种多样的氮化工艺。但     

38CrMOAlA钢激光淬火+氮化复合处理

对38crMoAlA钢分别经激光淬火、气体氮化、氮化-激光淬火复合处理及激光淬火一氮化复合处理的硬化层深度及其表面硬度分布进行了比较分析。结果表明，试验条件下，激光淬火-氮化复合处理与氮化处理相比，表层硬度可提高100Hv左右，硬化层深度有少许增加；在氮化-激光淬火复合处理中，激光淬火可使预先氮化处理的硬化层深度有大幅度的提高，表层硬度有所下降；氮化-激光淬火复合处理比激光淬火的表面硬度高，硬化层深度较浅。     

45钢等离子氮化层磨斑的SEM研究

45钢渗氮后在表面形成高硬度的氮化层，极大地提高了45钢的耐磨性，被认为是材料的理想改性方式。本文对45钢进行了等离子渗氮，并比较了在液体石蜡和硫化异丁烯润滑下的磨斑表层形貌。     

α-Al2O3上生长GaN过程中氮化的研究

在自行设计研制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR?蛳EMOCVD)装置上生长氮化镓(GaN)薄膜，以氮等离子体为氮源，三乙基镓（TEG）为镓源，蓝宝石（α?蛳Al2O3）为衬底。通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、射线衍射实验数据分析，研究了ECR等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石（α?蛳Al2O3）衬底的氮化作用, 结果表明：在ECR等离子体中，不掺入氢气，温度较低时可以明显提高α?蛳Al2O3衬底的氮化效果，获得平整的氮化层，且生长的氮化镓缓冲层质量是最好的。     

718塑料模具钢激光合金化与氮化组织性能的比较

在718钢表面进行了超细碳化钨(WC)激光合金化的实验,利用金相显微镜、维氏硬度计等设备检测了合金化层的组织和性能.通过与氮化试样的比较,表明激光合金化可以得到晶粒细化,深度大,硬度高,与基体结合牢固的表面强化层.塑料注射成型模具大量使用718钢作为型芯、型腔等零部件的成型材料.上述成型零部件在磨损、侵蚀和注塑压力的共...     

氨气预氮化制备超薄氮化硅薄膜及电学性能

为寻求制备性能良好的纳米厚度氮化硅(SiN_x)薄膜的方法,采用NH_3等离子体氮化、SiH_4/NH_3等离子增强化学淀积法及先氮化后淀积的方法制备了三种SiN_x薄膜,研究比较了三种薄膜的性质。用X射线光电子谱检测了NH_3等离子体氮化Si片得到的SiN_x薄膜的组分,利用椭圆偏振光谱仪测量薄膜厚度,估算了氮化速率。用NH_3和SiH_4作为反应气,分别在原始硅片和经过NH_3预氮化后的硅片上淀积厚度为5 nm、10 nm和50 nm的SiN_x薄膜。用电容-电压法研究了薄膜样品的电学性质,发现单纯用NH_3等离子体氮化的薄膜不适合做介质膜,而先用NH_3氮化再淀积SiN_x的样品比直接淀积SiN_x的样品界面性能明显改善,界面态密度降低到1～2×10~(11)eV~(-1) cm~(-2)。     

Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响

用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。     

氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H2-O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比常规氧化、H2-O2合成氧化和氮化H2-O2合成氧化三种方式及不同退火条件,得出氮化H2-O2合成氧化方法抗辐照性能最佳,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H2-O2合成栅的抗辐照机理进行了研究.     

提高压铸模寿命的工艺途径

本文对影响压铸模使用寿命的各种因素和所采用的处理工艺进行了分析研究。指出,3Cr_2W_8V钢制造的压铸模采用“强韧化双重处理、复合等温淬火、两次以上回火甲酰胺通氨软氮化、使用过程中的除应力退火和补充软氮化”的热处理工艺组合,能较大程度地发挥材料潜力,压铸模寿命可达20万次以上。同时指出,对不同使用条件下的压铸模及同一模具上工作条件不同的部分应采用适合各自不同情况下的热处理工艺。最后对有关问题谈了作者的观点及看法。     

反应溅射氮化钨薄膜特性研究

本文采用两种溅射系统:射频磁控溅射系统和S枪溅射系统淀积了氮化钨薄膜。X射线衍射方法(XRD)、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来分析了氮化钨薄膜的组分、晶体结构和薄膜的电阻率。并研究了氮在氮、氩混合气体中的不同流量比对氮化钨薄膜特性的影响。用卢瑟福背散射(RBS)方法对比研究了纯钨薄膜和氮化钨薄膜在Al/W/Si和Al/WN_x/Si两种金属化系统中的扩散势垒特性。分析结果表明,Al/W/Si金属化系统经500℃、30分钟热退火后,出现了明显的互扩散现象;而Al/WN_x/Si金属化系统在550℃、30分钟热退火后,没有发现互扩散的迹象,说明氮化钨在硅集成电路中是一种有效的扩散势垒材料。     

氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 合成栅的抗辐照机理进行了研究     

SiC MOS器件界面钝化研究进展

从氧化后退火处理、氮化处理、碳帽、钡夹层、淀积氧化物后退火处理五个方面介绍了碳化硅钝化工艺。通过改进钝化工艺可以有效降低界面态密度。针对这几种钝化工艺对SiC/SiO₂界面态密度的影响进行讨论,分析几种钝化工艺的优劣,并重点介绍了氧化后退火处理和氮化处理两种钝化方法。研究发现,NO氮化工艺能有效降低界面态密度,提高界面可靠性。该工艺适用于SiC MOS器件的制造。     

快速热氮化SiO_xN_y薄膜界面氮化反应模型

提出了快速热氮化二氧化硅膜技术界面氮化模型。由该模型认为，快速热氮化二氧化硅膜中固定电荷及界面态的变化是高温处理及氮化剂向界面扩散并在界面处参与反应两种过程造成的。高温处理带来固定电荷及界面态增大。而氮化剂在界面处的反应存在五种方式，这五种反应对固定电荷及界面态的影响各不相同：有的增大固定电荷，有的减少固定电荷；有的增大界面态，有的减少界面态。高温处理及这五种反应的综合结果，影响了快速热氮化二氧化硅膜中固定电荷及界面态。文中从这一模型出发，提出了关于固定电荷变化的计算公式。     

离子氮化均匀性研究

本工作试验了四种不同的工艺方案,测定了各工艺方案对长杆件离子氮化均匀性的影响,并就其结果进行了较详尽的分析,提出了改善离子氮化均匀性的途径。     

直接热氮化SiO2薄膜的电特性

对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用其做为绝缘栅制成MOSFET。讨论了热氮化对阈电压和表面电子迁移率的影响。     

Kinetic process of nitridation on the α-sapphire surface

我们结合分子动力学模拟和动态蒙特卡洛方法,建立了蓝宝石表面的氮化模拟模型,依此揭示了氮化和过度氮化的过程和原理。通过MBE生长和同位RHEED表征,我们亦观察和分析了不同条件下的α面蓝宝石的氮化情况。结合模拟和实验,我们了解了氮化机制,并且圈定了合适的氮化范围。