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AIN和SiOxNy薄膜与其GaAs衬底间界面应力的喇曼光谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用喇曼放射方法研究了在GaAs衬底上用S-枪磁控反应溅射的AIN和PECVD淀积的SiOxNy薄膜界面应力,并研究了这两种薄膜在N2和Ar气氛下的高温热处理对界面应力的影响。结果表明,与SiOxNy薄膜不同,在GaAs衬底上制备的AIN薄膜,其界面应力很不,而且经N2和Ar气氛下的高温快速热退火,仍具有较好的稳定性,从而表明AIN是GaAs集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料。 相似文献
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用傅里叶变换红外吸收谱和透射谱(FTIR),在77K和300K温度下测量研究用双离子注入法配合优化热退火处理制成的GaAsEr,O发光材料的光吸收特性及杂质缺陷行为,观测到该材料中存在3种吸收峰并作了指认,分析了这些吸收峰与材料的离子注入及退火的关系,给出杂质和缺陷对材料GaAs(Er,O)高效发光的可能影响 相似文献
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在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
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用ArF准分子脉冲激光沉积法(PLD)在石英玻璃衬底上制备均匀透明的SrBi2Ta2O9铁电薄膜.紫外透射光谱研究表明在波长为370~900nm范围薄膜具有很好的透光性,在320nm处有一陡峭的吸收边,由半导体理论计算得到薄膜的禁带宽度为3.25eV,FTIR红外光谱研究表明薄膜晶格振动的特征频率约为2.4×1013Hz. 相似文献
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量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340mW,和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比,最大输出功率提高了36%。在100mW输出功率下,发射光谱中心波长为978nm,光谱半宽为1.2nm。平行和垂直方向远场发散角分别为7.2°和30° 相似文献
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用PECVD氮化硅薄膜对GaAs MESFET进行钝化,本文讨论了钝化对器件特性的影响,提出了一种改善GaAs器件表面的方法,结果表明利用该方法和PECVD氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压。 相似文献
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研制了一种新型高效蓝色电致发光SrS:Cu荧光粉,改变共掺杂物,它的EL性能可以在很大的范围内变化,单掺杂时,SrS:Cu薄膜电致发光器件发青蓝色的光,色座标CIE在0.27~0.32之间变化。共掺杂Ag时,SrS:Cu薄膜电致发光器件发纯蓝光,色座标CIEy在0.13~0.22之间。SrS:Cu,Ag荧光粉的光效为0.15~0.24lm/W,比现有的蓝色电致发光荧光粉(SrCa)Ga2S4:Ce 相似文献
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掺铒光纤放大器(EDFA)是20世纪90年代开始在光纤传输系统中应用的新型器件,它的推广应用为光纤通信技术带来了一场革命。这里,将简单分析一下长途干线网在引入EDFA后,网络所发生的一些变化。 一、EDFA简介EDFA的放大作用是通过1 550nm波长的信号与Er离子相互作用产生的。我们知道,Er离子有3个能级:高能态、亚稳态、基态。其中,高能态与基态之间的能量差与泵浦光子相同,亚稳太与基态之间的能量差与1 550nm的光子能量相同。而且,亚稳太的Er离子会与1 550nm的光子发生相互作用,产生受激… 相似文献
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用波长为700~3500mm的光电流测试系统研究了SI-GaAs村谗及其MESFET器件中的深能级。结果显示在SI-GaAs衬底及其MESFET器件中存在着相似的深能级,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器的光敏现象的方法。 相似文献
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溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析 总被引:2,自引:0,他引:2
用X射线光电子能谱(XPS)技术,测量了射频磁控溅射法(RFMS)制备的硫化锌薄膜(ZnS:Er^3+)的表面及内部构态,认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因,对研究器件的激发过程有参考意义 相似文献
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本文对a-SiFET的电流-电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入a-Si隙态密度分布的具体假设模型,采用合理的数学方法,推导出a-SiFET电流-电压关系的解析表达式,对a-SiFET电流-电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合,为a-SiFET的理论分析开辟了一条新途径。 相似文献
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a—SiFET电流—电压特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对a-SiFET的电流-电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入a-Si隙态密度分布的具体假设假设模型,采用合理的数学方法,推导出a-SiFET电流-电压关系的解析表达式,对a-SiFET电流-电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合,为a-SiFET的理论分析开辟了一条新途径。 相似文献
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GaAs MESFET的压力敏感特性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了GaAs MESFET对应力的敏感特性,分析了敏感原理。对GaAs MESFET用作力学量传感器的可能性进行了讨论。 相似文献
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本文研究了在SF6,CBrF3和CHF3与氧相混合的几种氟化气体等离子体中,SiC薄膜反应离子刻蚀(RIE)的深度。通过监测射频等离子体的光发射谱及产生等离子体的直流偏压来研究刻蚀机理,为了更精确地定量分析刻蚀工艺,使用氩光能测定技术使等离子发射强度转换为相应的等离子物质浓度。为获得选择性的SiC-Si刻蚀及SiC薄膜的各向异性图形,对等离子体条件,如气体混合物的构成,压力和功率进行了研究。首次采 相似文献