全文获取类型
收费全文 | 213篇 |
免费 | 30篇 |
国内免费 | 221篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
综合类 | 69篇 |
化学工业 | 1篇 |
金属工艺 | 1篇 |
机械仪表 | 1篇 |
建筑科学 | 1篇 |
轻工业 | 1篇 |
无线电 | 371篇 |
一般工业技术 | 9篇 |
自动化技术 | 9篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 1篇 |
2019年 | 4篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 9篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 29篇 |
2008年 | 24篇 |
2007年 | 32篇 |
2006年 | 38篇 |
2005年 | 55篇 |
2004年 | 37篇 |
2003年 | 23篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 49篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 13篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有464条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。 相似文献
22.
23.
NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法. 相似文献
24.
25.
26.
27.
28.
研究了在热载流子注入HCI(hotcarrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这两种应力偏置条件下,pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强.由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场,使得器件特性严重退化.给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释. 相似文献
29.
本文介绍目前流行的深亚微米主流ASIC设计流程.设计方法及相关流行的EDA工具轶件,着重讨论超大规模深亚微米ASIC设计过程中相关的仿真接术(Simulation)。逻辑综合(Logic Synthesis),静态对序(Static Timing)分析和自动测试(Auto Test)技术。 相似文献
30.