一种CMOS静态双沿顺序脉冲发生器的设计

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。     

磁控溅射WO3薄膜特性研究

用磁控溅射法制成WO3薄膜,通过改变成膜的溅射参数来改变WO3薄膜的性能.利用XRD分析了样品的粒径大小,研究了成膜工艺参数对气敏元件性能的影响.结果表明,薄膜中WO3晶粒的平均尺寸为17 nm,该传感器对NOx气体有非常好的灵敏度和选择性,对体积分数为1×10-5的NOx气体灵敏度高于50倍,而对其他干扰气体的灵敏度小于2倍.     

WCDMA直放站数字下变频的FPGA实现

数字下变频器（Digital Down Converter,DDC）是WCDMA直放站的重要组成部分,它将高速采样的数字中频信号下变频到基带,然后进行抽取,低通滤波。重点研究了数字下变频器的数控振荡器NCO和半带滤波器的原理和硬件设计仿真,通过FPGA芯片Virtex-6 XC6VLX75T设计实现了适用于WCDMA直放站的数字下变频器,并对其进行硬件仿真与验证。     

基于霍耳效应的气敏传感器的研制

利用霍耳效应成功地研制了WO3半导体气敏传感器.这种新型传感器不仅可以根据需要输出几毫伏至几十毫伏甚至几百毫伏的直流电压,而且具有其它半导体传感器所没有的优点--无需另外加热.在实验中对NO2气体进行检测,结果表明:传感器的输出霍耳电动势在几毫伏到几百毫伏之间,且随待测气体浓度变化而变化.因此,利用霍耳效应制作气敏传感器是一条完全可行的新思路.     

新型NO2薄膜气敏元件的研究

采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化钨/多壁碳纳米管(WO3/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏元件.采用X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)来研究WO3/MWCNTs材料的表面形貌、表面化学状态、表面化学元素等材料特性.研究结果表明,MWCNTs已经掺杂进WO3材料,合成的WO3/MWCNTs气敏元件表现出对NO2气体有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性,并解释了该元件的工作机理.     

基于FPGA的嵌入式以太网与Matlab通信系统的设计

随着FPGA单片可编程容量的日益增大,传统的嵌入式系统设计正在逐渐被片上系统所取代,用于数据通信的以太网片上系统设计也越来越备受关注,另外,通信数据采集的可视化及数据处理的简单化要求也越来越明显,基于这两方面,本文简要介绍了如何利用Xilinx公司的MicroBlaze微处理器软核,以及相应的嵌入式操作系统Xilkernel和Lwip协议功能函数,采用片上系统设计理念,来设计完成基于FPGA的嵌入式以太网与Matlab通信平台的数据传送交互系统。     

低功耗wirelessHART网络时钟同步

提出一种基于TPSN(Timing-Sync Protocol for Sensor Networks)的WirelessHART网络时钟同步协议改进措施。通过在原有TPSN协议上添加线性回归法估计通信节点间的时钟偏差以延长时钟同步周期并针对工厂存在强干扰,协议添加异常情况处理机制以减少坏点出现概率。经过WirelessHART通信节点平台测试,改进时钟同步协议的时钟同步周期相对TPSN协议延长百分之十,因此,该改进协议达到有效降低节点功耗的目的。     

10／100／1000Mbps以太网MAC的设计

随着1000Mbps以太网和全双工通信技术的发展与成熟,以太网也向着更高速和高效的方向发展。文中通过Xilinx的开发平台及配套硬件来设计10／100／1000以太网MAC．同时采用自顶向下的方法划分和设计模块,最后利用StateCAD进行状态机的设计,从而完成了hdl代码的编写,并使用modelsim进行了时序功能验证。     

基于塞贝克效应的半导体气敏传感器的研制

利用塞贝克效应研制成功ZnO半导体气敏传感器。这种新型传感器能够输出0-100mV的直流电压,对于信号的放大与处理将十分方便。在实验中对20×10-6NO2气体进行检测,结果表明:传感器的输出电压(温差电动势),随着待测气体浓度而变化。因此,利用温差电效应制作气敏传感器是一条完全可行的新思路。     

N∶ZnO薄膜的受主性质研究

使用溶胶-凝胶法制备N∶ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8K)及变温条件(8～200K)下的光致发光(PL)光谱。分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255～0.31eV范围内。研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据。